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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.820.599 artículos)

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MOSFET Infineon ISP26DP06NMSATMA1, VDSS -60 V, ID -1.9 A, SOT223 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = -1.9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = -60 V Tipo de Encapsulado = SOT223 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de...
Infineon
ISP26DP06NMSATMA1
€ 0,204*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT47N60BC3G
a partir de € 16,37*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK10V60W,LVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 9.7A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.327 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Toshiba
TK10V60W,LVQ(S
a partir de € 1,41*
por unidad
 
 unidad
Infineon
ISP25DP06NMXTSA1
a partir de € 256,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO247-3 (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 0,125Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPW60R125C6FKSA1
a partir de € 2,53*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK2R9E10PL,S1X(S MOSFET, N-CH, 100V, 100A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0024 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK2R9E10PL,S1X(S
a partir de € 1,16*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR2905TRLPBF, VDSS 55 V, ID 42 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 42 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drena...
Infineon
IRLR2905TRLPBF
a partir de € 0,731*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay IRFS9N60APBF, VDSS 600 V, ID 9,2 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFS9N60APBF
a partir de € 1,29*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK110A65Z,S4X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.092 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encap...
Toshiba
TK110A65Z,S4X(S
a partir de € 1,93*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC058N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 63 A, TDSON-8 FL de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 63 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = TDSON-8 FL Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número...
Infineon
ISC058N04NM5ATMA1
a partir de € 0,787*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 379W; TO247AC (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO247AC Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 30A Resistencia en estado de transferencia: 530mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 3...
Vishay
SIHG47N60AEL-GE3
a partir de € 6,29*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK30E06N1,S1X(S MOSFET, CANAL N, 60V, 43A, TO-220 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0122 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK30E06N1,S1X(S
a partir de € 0,32*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISP75DP06LMXTSA1, VDSS 60 V, ID 1,1 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-223 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número d...
Infineon
ISP75DP06LMXTSA1
a partir de € 0,335*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 48A Resistencia en estado de transferencia: 85mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
IXYS
IXFR80N60P3
a partir de € 12,28*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK110N65Z,S1F(S MOSFET, CANAL N, 650V, 24A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.092 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK110N65Z,S1F(S
a partir de € 2,61*
por unidad
 
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