Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.815.654 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 43A; Idm: 172A; 565W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 43A Resistencia en estado de transferencia: 0,13Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT6013LFLLG
a partir de € 23,69*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK6A60W,S4VX(M MOSFET, CANAL N, 600V, 6.2A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.68 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK6A60W,S4VX(M
a partir de € 0,83*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Littelfuse IXTH220N20X4, VDSS 200 V, ID 220 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 220 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Serie = X4 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima...
Littelfuse
IXTH220N20X4
a partir de € 16,989*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK28N65W,S1F(S MOSFET, CANAL N, 650V, 27.6A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.094 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK28N65W,S1F(S
a partir de € 2,73*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SPP08N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 8 A, Montaje en orificio pasante (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Montaje en orificio pasante Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
SPP08N80C3XKSA1
a partir de € 1,614*
por unidad
 
 unidades
TOSHIBA TK6A80E,S4X(S MOSFET, CANAL N, 800V, 6A, TO-220SIS (2 ofertas) 
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) To Be Advised Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.35 ohm Gama de Produc...
Toshiba
TK6A80E,S4X(S
a partir de € 0,727*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70A; 625W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 70A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 625W...
IXYS
IXKH70N60C5
a partir de € 15,58*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK28V65W,LQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 27.6A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.099 ohm Gama de Producto - Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
Toshiba
TK28V65W,LQ(S
a partir de € 2,29*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SN7002NH6433XTMA1, VDSS 60 V, ID 200 mA, PG-SOT (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-SOT Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SN7002NH6433XTMA1
a partir de € 0,095*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48,1A; Idm: 228A; 543W; TO247 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 48,1A Resistencia en estado de transferencia: 36mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 54...
onsemi
FCH76N60N
a partir de € 15,24*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK6R7P06PL,RQ(S2 MOSFET, N-CH, 60V, 46A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.005 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
Toshiba
TK6R7P06PL,RQ(S2
a partir de € 0,386*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Littelfuse IXTT220N20X4HV, VDSS 200 V, ID 220 A, TO-268-3 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 220 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Serie = X4 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenado...
Littelfuse
IXTT220N20X4HV
a partir de € 15,623*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO252-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 6A Resistencia en estado de transferencia: 0,536Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPD60R280CFD7
a partir de € 1,64*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK290A60Y,S4X(S MOSFET, CANAL N, 600V, 11.5A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encaps...
Toshiba
TK290A60Y,S4X(S
a partir de € 0,913*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SPP24N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 24,3 A, PG-TO220-3-1 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 24,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3-1 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SPP24N60C3XKSA1
a partir de € 4,782*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1101   1102   1103   1104   1105   1106   1107   1108   1109   1110   1111   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.