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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.815.654 artículos)

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TOSHIBA TK62N60X,S1F(S MOSFET, CANAL N, 600V, 61.8A, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.033 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK62N60X,S1F(S
a partir de € 5,94*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK25E60X5,S1X(S MOSFET, CANAL N, 600V, 25A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.12 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK25E60X5,S1X(S
a partir de € 2,24*
por unidad
 
 unidad
Infineon SPD50P03L G transistore 30 V (3 ofertas)
Infineon
SPD50P03LGBTMA1
a partir de € 1,02*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 44A; Idm: 245A; 1135W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 90mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT66F60L
a partir de € 20,40*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC019N03L5SATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Infineon
ISC019N03L5SATMA1
€ 1.680,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
TOSHIBA TK25N60X5,S1F(S MOSFET, CANAL N, 600V, 25A, TO-247 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.12 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK25N60X5,S1F(S
a partir de € 2,61*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISZ0804NLSATMA1, VDSS 100 V, ID 58 A, PQFN 3 x 3 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 58 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
ISZ0804NLSATMA1
a partir de € 0,844*
por unidad
 
 unidades
MOSFET IXYS IXFN210N30P3, VDSS 300 V, ID 192 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™. Una gama de MOSFET de potencia de canal N IXYS serie Polar3™ con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™)
IXYS
IXFN210N30P3
a partir de € 33,84*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1130W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 64A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,1...
IXYS
IXFX64N60P3
a partir de € 8,49*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK25V60X5,LQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 25A, DFN (1 oferta) 
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.125 ohm Gama de Producto - Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id ...
Toshiba
TK25V60X5,LQ(S
a partir de € 2,24*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SPP06N80C3XKSA1, VDSS 800 V, ID 6 A, Montaje en orificio pasante (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = Montaje en orificio pasante Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
SPP06N80C3XKSA1
a partir de € 45,00*
por 50 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
IXYS
IXKR47N60C5
a partir de € 16,55*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISC022N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 230 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 ...
Infineon
ISC022N10NM6ATMA1
a partir de € 10,335*
por 5 unidades
 
 envase
TOSHIBA TK28A65W,S5X(M MOSFET, CANAL N, 650V, 27.6A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.094 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
TK28A65W,S5X(M
a partir de € 2,23*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SN7002IXTSA1, VDSS 60 V, ID 200 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
El Infineon SN7002I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOS...
Infineon
SN7002IXTSA1
a partir de € 0,035*
por unidad
 
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