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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.815.654 artículos)

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TOSHIBA TK170V65Z,LQ(S MOSFET, CANAL N, 650V, 18A, DFN (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.142 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 5 Pines Montaje...
Toshiba
TK170V65Z,LQ(S
a partir de € 1,59*
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 unidad
MOSFET Infineon ISP25DP06NMXTSA1, VDSS 60 V, ID 1,9 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-223 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número d...
Infineon
ISP25DP06NMXTSA1
a partir de € 0,448*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; 417W; ISOPLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,13Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
IXYS
IXFR44N60
a partir de € 19,77*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK3R1E04PL,S1X(S MOSFET, CANAL N, 40V, 100A, TO-220 (1 oferta) 
Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 128 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado ...
Toshiba
TK3R1E04PL,S1X(S
a partir de € 0,655*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SN7002WH6327XTSA1, VDSS 60 V, ID 230 mA, PG-SOT-323 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 230 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-SOT-323 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SN7002WH6327XTSA1
a partir de € 0,075*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 53A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET ...
Infineon
IPW60R070C6FKSA1
a partir de € 8,07*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17A65W5,S5X(M MOSFET, CANAL N, 650V, 17.3A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.19 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17A65W5,S5X(M
a partir de € 1,47*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK3R2A10PL,S4X(S MOSFET, CANAL N, 100V, 100A, TO-220SIS (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0026 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK3R2A10PL,S4X(S
a partir de € 1,12*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1040W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 64A Resistencia en estado de transferencia: 96mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1,0...
IXYS
IXFX64N60P
a partir de € 14,42*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK17E65W,S1X(S MOSFET, CANAL N, 650V, 17.3A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
Toshiba
TK17E65W,S1X(S
a partir de € 1,37*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon ISP650P06NMXTSA1, VDSS 60 V, ID 37 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 37 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-223 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número de...
Infineon
ISP650P06NMXTSA1
a partir de € 0,937*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38A; Idm: 210A; 1,04kW; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT56F60L
a partir de € 16,21*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA TK3R9E10PL,S1X(S MOSFET, CANAL N, 100V, 100A, TO-220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0033 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...
Toshiba
TK3R9E10PL,S1X(S
a partir de € 0,931*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon SPA11N80C3XKSA2, VDSS 800 V, PG-TO220 (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = PG-TO220 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
SPA11N80C3XKSA2
a partir de € 1,852*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 57,7A; 480,8W; PG-TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 57,7A Resistencia en estado de transferencia: 74mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPP60R074C6XKSA1
a partir de € 4,62*
por unidad
 
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