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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.804.347 artículos)

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MOSFET onsemi NTHL045N065SC1, VDSS 650 V, ID 66 A, TO-247 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 66 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
onsemi
NTHL045N065SC1
a partir de € 8,158*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; 67W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 10,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Toshiba
TK40E06N1,S1X(S
a partir de € 0,49*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHU4N80E-GE3 MOSFET, CANAL N, 800V, 4.3A, 150°C, 69W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.1 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Vishay
SIHU4N80E-GE3
a partir de € 0,977*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTH4L075N065SC1, VDSS 650 V, ID 38 A, TO247-4L (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 38 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
onsemi
NTH4L075N065SC1
a partir de € 2.402,55*
por 450 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 58A; 110W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 58A Resistencia en estado de transferencia: 4,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 1...
Toshiba
TK58E06N1,S1X
a partir de € 0,65*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiR180ADP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 137 A., POWERPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un tipo de encapsulado POWERPAK SO-8.MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV Figura de mérito (FOM) RDS - Qg muy baja Ajustado para ofrecer la FOM RDS - ...
Vishay
SiR180ADP-T1-RE3
a partir de € 0,765*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHU5N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 4,4 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = IPAK (TO-251) Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pin...
Vishay
SIHU5N80AE-GE3
a partir de € 0,43*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS0D6N03CT1G, VDSS 30 V, ID 433 A, DFN de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 433 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = NTMFS0D6N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima D...
onsemi
NTMFS0D6N03CT1G
€ 1.492,50*
por 1.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25,7A; 5W; SO8 (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 25,7A Resistencia en estado de transferencia: 4,2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 5W P...
Vishay
SI4062DY-T1-GE3
a partir de € 0,81*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIR184LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 73 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 73 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Mod...
Vishay
SIR184LDP-T1-RE3
a partir de € 0,559*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTHL067N65S3H, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTHL067N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia M...
onsemi
NTHL067N65S3H
a partir de € 6,114*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 347A; 147W (1 oferta) 
Fabricante: NEXPERIA Montaje: SMD Carcasa: SOT669;PowerSO8;LFPAK56 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 61A Resistencia en estado de transferencia: 19,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Nexperia
BUK7Y8R7-60EX
a partir de € 0,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHU6N80AE-GE3, VDSS 850 V, ID 3,2 A, 5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines (3 ofertas) 
El Vishay SIHU6N80AE-GE3 es un MOSFET de alimentación de la serie E.Figura de mérito baja Baja capacitancia efectiva (CISS) Menores pérdidas por conmutación y conducción Carga de compuerta (Qg) ult...
Vishay
SIHU6N80AE-GE3
a partir de € 0,531*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6,8A; 3,2W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 6,8A Resistencia en estado de transferencia: 36mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 3,2W P...
Vishay
SI4436DY-T1-GE3
a partir de € 0,38*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIR404DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 20V, 60A, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0013 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de...
Vishay
SIR404DP-T1-GE3
a partir de € 0,857*
por unidad
 
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