Categorías
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse
Cesta
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Realizar un pedido
atrás
VISHAY SI4401FDY-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, -40V, -14A, SOIC (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0118 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SI4401FDY-T1-GE3
a partir de € 0,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTH4LN040N65S3H, VDSS 650 V, ID 62 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 62 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = SUPERFET III Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistenc...
onsemi
NTH4LN040N65S3H
a partir de € 9,683*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; Idm: 400A; 250W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado de transferencia: 5,1mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
Texas Instruments
CSD18542KTTT
a partir de € 1,60*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI7994DP-T1-GE3 MOSFET, DUAL N CH, 30V, 60A, SOIC-8 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión D...
Vishay
SI7994DP-T1-GE3
a partir de € 1,26*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi FDMA2002NZ, VDSS 30 V, ID 2.9 A, WDFN de 6 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2.9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = WDFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia...
onsemi
FDMA2002NZ
a partir de € 0,289*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI4403DDY-T1-GE3 MOSFET, P-CH, 20V, 15.4A, SOIC (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0105 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen III Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo d...
Vishay
SI4403DDY-T1-GE3
a partir de € 0,218*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI7997DP-T1-GE3 MOSFET CANAL P DOBLE -20.8V, POWERPAK SO (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 60 A Gama de Producto TrenchFET Series Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 ...
Vishay
SI7997DP-T1-GE3
a partir de € 0,918*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Vishay Si4425FDY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 18,3 A, SO-8 de 8 pines (3 ofertas) 
El Vishay Si4425FDY-T1-GE3 es un MOSFET de canal P 30V (D-S).MOSFET de alimentación de canal p TrenchFET® Gen IV Probado 100% Rg
Vishay
Si4425FDY-T1-GE3
a partir de € 0,244*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTH4LN095N65S3H, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTH4LN095N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia...
onsemi
NTH4LN095N65S3H
a partir de € 6,164*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Texas Instruments CSD18536KTTT, VDSS 60 V, ID 200 A, D²PAK de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = D²PAK Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...
Texas Instruments
CSD18536KTTT
a partir de € 3,281*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI8406DB-T2-E1 MOSFET N-CH, 20V, MICROFOOT (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.026 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
Vishay
SI8406DB-T2-E1
a partir de € 0,218*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi FDP4D5N10C, VDSS 100 V, ID 128 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 128 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 ...
onsemi
FDP4D5N10C
€ 2.096,00*
por 800 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 38A; 18W; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 6,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF2606L
a partir de € 0,56*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI4435FDY-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, 30V, 12.6A, 150°C, 4.8W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto TrenchFET III Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Cana...
Vishay
SI4435FDY-T1-GE3
a partir de € 0,128*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IRL60B216
a partir de € 2,11*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1151   1152   1153   1154   1155   1156   1157   1158   1159   1160   1161   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.