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  MOSFET  (25.366 ofertas entre 5.855.535 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 277W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,115Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 277...
WAYON
WMM38N65FD
a partir de € 2,16*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 700V; 8A; 63W; TO251 (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251...
WAYON
WMP11N70C2
a partir de € 0,37*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 21A; 250W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 21A Resistencia en estado de transferencia: 0,26Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 250W...
WAYON
WMN25N80M3
a partir de € 1,10*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM025NB04CR, VDSS 40 V, ID 644 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 644 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PDFN56 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 2,5 mΩ Modo de Canal = Mejor...
Taiwan Semiconductor
TSM025NB04CR
€ 4.637,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 80ns Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 130A Resistencia en estado de transferencia: 9mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXFA130N15X3
a partir de € 5,08*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 53A; 378W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 53A Resistencia en estado de transferencia: 78mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 378...
WAYON
WMJ53N65FD
a partir de € 4,30*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STL24N60M6, VDSS 600 V, ID 15 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de potencia M6 MDmesh de canal N de STMicroelectronics incorpora los avances más recientes en la conocida y consolidada familia MDmesh de MOSFET SJ. STMicroelectronics ha creado la genera...
ST Microelectronics
STL24N60M6
a partir de € 1,633*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 375ns Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 45A Resistencia en estado de transferencia: 33mΩ Tipo de transist...
WAYON
WMJ80N60C4
a partir de € 4,79*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STD5NM60T4, VDSS 650 V, ID 5 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low o...
ST Microelectronics
STD5NM60T4
€ 2.495,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 4A; 45W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 2,3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 45W Po...
WAYON
WMP05N80M3
a partir de € 0,218*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM033NB04CR, VDSS 40 V, ID 121 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM033NB04CR
€ 3.675,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 90ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 9,6mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFH140N20X3
a partir de € 8,00*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ M3; unipolar; 800V; 10A; 31W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 10A Resistencia en estado de transferencia: 1,03Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 31...
WAYON
WML10N80M3
a partir de € 0,58*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STL260N4LF7, VDSS 40 V, ID 120 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines (3 ofertas) 
El MOSFET STMicroelectronics de potencia de canal N utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta Trench mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al ti...
ST Microelectronics
STL260N4LF7
a partir de € 1,30*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 600V; 13A; 31W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 13A Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 31...
WAYON
WML16N60FD
a partir de € 0,77*
por unidad
 
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