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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.041 artículos)

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ROHM RW4E075AJTCL1 MOSFET, CANAL N, 30V, 7.5A, 150°C, 1.5W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0185 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor...
ROHM Semiconductor
RW4E075AJTCL1
a partir de € 0,306*
por unidad
 
 unidad
PANASONIC AQY2C1R2PX MOSFET RELAY, SPST, 0.3A, 40V, TSON-4 (1 oferta) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 1.2 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 0.01 µA Gama de Producto PhotoMOS AQY2C Series Terminales del Relé Gull Wing Resistencia en Conducción Máx. 1.5 ...
Panasonic
AQY2C1R2PX
a partir de € 7,81*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 70A; Idm: 175A; 262W (1 oferta) 
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 70A Resistencia en estado de transferencia: 39mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
ROHM Semiconductor
SCT3030ALGC11
a partir de € 26,34*
por unidad
 
 unidad
PANASONIC AQY2C1R3P1X REL MOSFET, SPST-NO, 0.1A, 200V, VSON (1 oferta) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 1.2 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 0.01 µA Gama de Producto PhotoMOS Series Terminales del Relé Soldar Resistencia en Conducción Máx. 15 ohm Tipo d...
Panasonic
AQY2C1R3P1X
a partir de € 10,87*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 54A; Idm: 170A; 300W (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 54A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M30065Q
a partir de € 14,17*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 58A; Idm: 180A; 348W (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 58A Resistencia en estado de transferencia: 55mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M40065B
a partir de € 11,71*
por unidad
 
 unidad
PANASONIC AQY2C2R2P1X MOSFET RELAY, SPST-NO, 0.3A, 60V, TSON (1 oferta) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 1.2 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 0.01 µA Gama de Producto PhotoMOS Series Terminales del Relé Soldar Resistencia en Conducción Máx. 1.5 ohm Tipo ...
Panasonic
AQY2C2R2P1X
a partir de € 8,86*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SJMOS™ C4; unipolar; 650V; SOT223 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 650V Tipo de transistor: N-MOSFET Polarización: unipolar Clase de empaquetado: cinta;bobina Tecnología: SJMOS™ C4 Clase de can...
WAYON
WMF10N65C4
a partir de € 0,40*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 250V; 28A; Idm: 180A (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 28A Resistencia en estado de transferencia: 69mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
ST Microelectronics
STP50NF25
a partir de € 1,60*
por unidad
 
 unidad
PANASONIC AQY410EHA REL MOSFET, SPST, 350V, 0.13A, THT (2 ofertas) 
Capacitancia de Entrada/Salida Típica 0.8 pF Corriente de Fuga Máxima en Desconexión 10 µA Gama de Producto PhotoMOS AQY41 Terminales del Relé Gull Wing Resistencia en Conducción Máx. 25 ohm Tipo d...
Panasonic
AQY410EHA
a partir de € 2,39*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W (1 oferta) 
Fabricante: LUGUANG ELECTRONIC Montaje: THT Carcasa: TO247-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 67A Resistencia en estado de transferencia: 39mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
LUGUANG ELECTRONIC
LGE3M28065Q
a partir de € 14,57*
por unidad
 
 unidad
RENESAS NP20P04SLG-E1-AY MOSFET, CANAL P, 40V, 20A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.02 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...
Renesas
NP20P04SLG-E1-AY
a partir de € 0,581*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 34A; 30W (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: DFN5060-8 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 34A Resistencia en estado de transferencia: 12mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG53G06A
a partir de € 0,133*
por unidad
 
 unidades
RENESAS NP50P04SDG-E1-AY MOSFET, CANAL P, 40V, 50A, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0077 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
Renesas
NP50P04SDG-E1-AY
a partir de € 0,94*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 44A; 28W (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: DFN5060-8 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 9,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJG70G06A
a partir de € 1,08*
por 5 unidades
 
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