Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
MOSFET Toshiba SSM3K339R,LF(T, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
Toshiba
SSM3K339R,LF(T
a partir de € 0,286*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN5x6 Tensión drenaje-fuente: 30/-30V Corriente del drenaje: 16/-12,5A Resistencia en estado de transferencia: 14/22mΩ Tipo de transis...
Alpha & Omega Semiconductor
AON6661
a partir de € 0,28*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba SSM3K329R,LF(T, VDSS 30 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistenc...
Toshiba
SSM3K329R,LF(T
€ 303,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 150A; 1560W; 260ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS264™ Tiempo de disponibilidad: 260ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 17mΩ Tipo de transis...
IXYS
IXFB150N65X2
a partir de € 22,89*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Texas Instruments CSD13383F4T, VDSS 12 V, ID 2,9 A, PICOSTAR (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 12 V Tipo de Encapsulado = PICOSTAR Tipo de Montaje = Montaje superficial
Texas Instruments
CSD13383F4T
a partir de € 0,426*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Toshiba SSM3K361R, VDSS 100 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resisten...
Toshiba
SSM3K361R
a partir de € 5,05*
por 25 unidades
 
 envase
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252-4 Estructura del semiconductor: drenaje conjunto Tensión drenaje-fuente: 30/-30V Corriente del drenaje: 8/-9,4A Resistencia en es...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD607A
a partir de € 0,219*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba SSM3K335R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tensión de accionamiento de puerta de 4,5 V. Resistencia de conexión de drenador-fuente baja RDS(ON) = 38 mΩ (máx) (a VGS = 10 V) RDS(ON) = 56 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V)
Toshiba
SSM3K335R
a partir de € 4,60*
por 50 unidades
 
 envase
MOSFET Texas Instruments CSD18543Q3A, VDSS 60 V, ID 12 A, VSONP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = NexFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drena...
Texas Instruments
CSD18543Q3A
€ 14,55*
por 25 unidades
 
 envases
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30/-30V Corriente del drenaje: 5/-4,5A Resistencia en estado de transferencia: 30/41mΩ Tipo de transistor: ...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4629
a partir de € 0,096*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Texas Instruments CSD17483F4T, VDSS 30 V, ID 1,5 A, PICOSTAR (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PICOSTAR Tipo de Montaje = Montaje superficial
Texas Instruments
CSD17483F4T
a partir de € 0,501*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Toshiba SSM6K403TU, VDSS 20 V, ID 4,2 A, UF6 de 6 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 4,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = UF6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resistencia ...
Toshiba
SSM6K403TU
€ 318,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: DFN8 Estructura del semiconductor: drenaje conjunto Tensión drenaje-fuente: 30/-30V Corriente del drenaje: 3,8/-4,7A Resistencia en est...
Alpha & Omega Semiconductor
AON3611
a partir de € 0,219*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Toshiba SSM3K339R,LF(T, VDSS 40 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
Toshiba
SSM3K339R,LF(T
a partir de € 0,105*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Texas Instruments CSD19531Q5A, VDSS 100 V, ID 100 A, VSONP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NexFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dre...
Texas Instruments
CSD19531Q5A
€ 3,73*
por 5 unidades
 
 envases
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1301   1302   1303   1304   1305   1306   1307   1308   1309   1310   1311   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.