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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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MOSFET Texas Instruments CSD19534Q5A, VDSS 100 V, ID 50 A, VSONP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NexFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
Texas Instruments
CSD19534Q5A
a partir de € 0,475*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 170ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 300A Resistencia en estado de transferencia: 4mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXFK300N20X3
a partir de € 22,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistenci...
Toshiba
TK31V60W5
a partir de € 8.522,50*
por 2.500 unidades
 
 envase
MOSFET Toshiba TK090N65Z,S1F(S, VDSS 650 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.Resistencia de cone...
Toshiba
TK090N65Z,S1F(S
a partir de € 5,184*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tiempo de disponibilidad: 105ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,45Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXFY8N65X2
a partir de € 1,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Texas Instruments CSD83325LT, VDSS 52 A, ID 8 A, Picostar YSE 6 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 52 A Tipo de Encapsulado = Picostar YSE 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Texas Instruments
CSD83325LT
a partir de € 136,75*
por 250 unidades
 
 envase
MOSFET Texas Instruments CSD23280F3T, VDSS –12 V, ID 2,9 A, PICOSTAR (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = –12 V Tipo de Encapsulado = PICOSTAR Tipo de Montaje = Montaje superficial
Texas Instruments
CSD23280F3T
a partir de € 0,531*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 84ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 72A Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFP72N20X3
a partir de € 4,47*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TPH1R306PL,L1Q(M, VDSS 60 V, ID 100 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad. Se utiliza principalmente en convertidores dc-dc de alta eficiencia, reguladores de tensión de conmutación ...
Toshiba
TPH1R306PL,L1Q(M
€ 8.180,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
MOSFET Toshiba TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, DFN8x8 de 5 pines (1 oferta) 
El MOSFET TOSHIBA de canal N de silicio con propiedades de conmutación de alta velocidad y capacitancia inferior. Se utiliza principalmente en fuentes de alimentación conmutadas.Baja resistencia de...
Toshiba
TK099V65Z,LQ(S
a partir de € 3,82*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 150V; 130A; 390W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 80ns Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 130A Resistencia en estado de transferencia: 9mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXFA130N15X3
a partir de € 5,07*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba SSM3J338R,LF(T, VDSS 12 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 12 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
Toshiba
SSM3J338R,LF(T
€ 381,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 60/-60V (2 ofertas) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT563 Tensión drenaje-fuente: 60/-60V Corriente del drenaje: 0,4/-0,28A Resistencia en estado de transferencia: 1,7/4Ω Tipo de transistor: N/P...
Diodes
DMG1029SVQ-7
a partir de € 0,105*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Texas Instruments CSD25402Q3A, VDSS 20 V, ID 76 A, VSONP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 76 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = NexFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drena...
Texas Instruments
CSD25402Q3A
a partir de € 0,483*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 85ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 12,8mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFP90N20X3
a partir de € 4,02*
por unidad
 
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