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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.821.968 artículos)

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MOSFET Toshiba TPH3R704PC,LQ(S, VDSS 40 V, ID 82 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 82 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TPH3R704PC Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima D...
Toshiba
TPH3R704PC,LQ(S
€ 1.560,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 40/-40V (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TO252-4 Estructura del semiconductor: drenaje conjunto Tensión drenaje-fuente: 40/-40V Corriente del drenaje: 12/-12A Resistencia en es...
Alpha & Omega Semiconductor
AOD609
a partir de € 0,241*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TK19A50W,S5X(M, VDSS 500 V, ID 18,5 A, TO-220SIS de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 18,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 500 V Tipo de Encapsulado = TO-220SIS Serie = DTMOSIV Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante ...
Toshiba
TK19A50W,S5X(M
a partir de € 1,204*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 90ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 140A Resistencia en estado de transferencia: 9,6mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFH140N20X3
a partir de € 8,01*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba SSM3J356R,LF(T, VDSS 60 V, ID 2 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia...
Toshiba
SSM3J356R,LF(T
€ 315,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,5A; Idm: -6A (1 oferta) 
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TSOT25 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -1,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,34Ω Tipo de transistor: P-MOSFET + Sc...
ROHM Semiconductor
QS5U23TR
a partir de € 0,122*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Texas Instruments CSD25501F3T, VDSS –20 V, ID -3,6 A, PICOSTAR (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = -3,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = –20 V Tipo de Encapsulado = PICOSTAR Tipo de Montaje = Montaje superficial
Texas Instruments
CSD25501F3T
a partir de € 0,432*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 250V; 44A; Idm: 66A; 240W (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 87ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 40mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFP44N25X3
a partir de € 3,81*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba TPHR8504PL,L1Q(M, VDSS 40 V, ID 150 A, SOP de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 150 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia ...
Toshiba
TPHR8504PL,L1Q(M
€ 7.500,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
MOSFET Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30,8 A, DFN de 5 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Reguladores de tensión de conmutación Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.) Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ) Conmutación de puerta de cont...
Toshiba
TK31V60W5
a partir de € 7,378*
por 2 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 116ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 220A Resistencia en estado de transferencia: 6,2mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXFK220N20X3
a partir de € 13,05*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Toshiba SSM3K333R, VDSS 30 V, ID 6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Accionamiento de 4,5 V Baja resistencia de conexión: RDS(ON) = 42 mΩ (máx) (a VGS = 4,5 V) RDS(ON) = 28 mΩ (máx) (a VGS = 10 V)
Toshiba
SSM3K333R
a partir de € 273,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: P-MOSFET + Schottky; unipolar; -20V; -1,5A; Idm: -6A (2 ofertas) 
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: TSOT25 Tensión drenaje-fuente: -20V Corriente del drenaje: -1,5A Resistencia en estado de transferencia: 0,34Ω Tipo de transistor: P-MOSFET + Sc...
ROHM Semiconductor
QS5U26TR
a partir de € 0,13*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Texas Instruments CSD85301Q2T, VDSS 20 V, ID 5 A, WSON (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = WSON Tipo de Montaje = Montaje superficial
Texas Instruments
CSD85301Q2T
a partir de € 0,641*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 167ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 8,3mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXFK150N30X3
a partir de € 12,99*
por unidad
 
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