Categorías
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse
Cesta
 
 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Realizar un pedido
atrás
STMICROELECTRONICS STF10N105K5 MOSFET, CANAL N, 1.05KV, 6A, TO-220FP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Ca...
ST Microelectronics
STF10N105K5
a partir de € 1,61*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA SSM3K15AMFV,L3F(T MOSFET, N-CH, 30V, 0.1A, SOT-723 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.3 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corri...
Toshiba
SSM3K15AMFV,L3F(T
a partir de € 0,1445*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 65,8A; Idm: 150A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 65,8A Resistencia en estado de transferencia: 9mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disip...
Vishay
SIR106DP-T1-RE3
a partir de € 3.243,99*
por 3.000 unidades
 
 envase
STMICROELECTRONICS STF17N80K5 MOSFET, CANAL N, 800V, 14A, 150°C, 30W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.29 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal ...
ST Microelectronics
STF17N80K5
a partir de € 1,95*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA SSM3K36MFV,L3F(T MOSFET, N-CH, 20V, 0.5A, SOT-723 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.46 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Toshiba
SSM3K36MFV,L3F(T
a partir de € 0,254*
por 5 unidades
 
 envase
STMICROELECTRONICS STF28N60M2 MOSFET, CANAL N, 600V, 22A, TO-220FP (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.135 ohm Gama de Producto MDmesh M2 Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Cana...
ST Microelectronics
STF28N60M2
a partir de € 1,55*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA SSM3K37MFV,L3F(T MOSFET, N-CH, 20V, 0.25A, SOT-723 (1 oferta) 
Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-723 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 150 mW Calificación - Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resisten...
Toshiba
SSM3K37MFV,L3F(T
a partir de € 0,162*
por 5 unidades
 
 envase
TOSHIBA SSM6J501NU,LF(T MOSFET, P-CH, 20V, 10A, SOT-1220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto - Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P C...
Toshiba
SSM6J501NU,LF(T
a partir de € 0,479*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 32,4A; Idm: 80A (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® 1212-8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 32,4A Resistencia en estado de transferencia: 17mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
Vishay
SISS42DN-T1-GE3
a partir de € 0,627*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA SSM6L39TU,LF(T MOSFET, DUAL, N/P-CH, 20V, 1.6A, SOT363F (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 1.6 A Gama de Producto - Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Drenaje Contin...
Toshiba
SSM6L39TU,LF(T
a partir de € 0,54*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 37,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 83...
Vishay
SUD35N10-26P-E3
a partir de € 1.552,76*
por 2.000 unidades
 
 envase
TOSHIBA SSM6N57NU,LF(T MOSFET, DUAL, N-CH, 30V, 4A, SOT-1118 (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4 A Gama de Producto - Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua...
Toshiba
SSM6N57NU,LF(T
a partir de € 0,4975*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: TO252 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 35A Resistencia en estado de transferencia: 37,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 83...
Vishay
SUD35N10-26P-GE3
a partir de € 2.672,36*
por 2.000 unidades
 
 envase
TOSHIBA TK7J90E,S1E(S MOSFET, CANAL N, 900V, 7A, TO-3P (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.6 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrien...
Toshiba
TK7J90E,S1E(S
a partir de € 1,04*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 38,7A; Idm: 80A (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 38,7A Resistencia en estado de transferencia: 20,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
Vishay
SIR606BDP-T1-RE3
a partir de € 0,551*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1491   1492   1493   1494   1495   1496   1497   1498   1499   1500   1501   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.