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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 9,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 125...
Vishay
SUM70090E-GE3
a partir de € 1.087,04*
por 800 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 102A; Idm: 350A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 102A Resistencia en estado de transferencia: 4,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disi...
Vishay
SIRS700DP-T1-RE3
a partir de € 2,68*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 104A; Idm: 200A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 104A Resistencia en estado de transferencia: 7mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 125W Polarización: ...
Vishay
SIDR668ADP-T1-RE3
a partir de € 4.451,31*
por 3.000 unidades
 
 envase
TAIWAN SEMICONDUCTOR TQM300NB06CR RLG MOSFET, CANAL N, 60V, 27A, PDFN56 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Taiwan Semiconductor
TQM300NB06CR RLG
a partir de € 0,725*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 6,3A; Idm: 7A; 13W (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 6,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,31Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 13W Polarización:...
Vishay
SIB456DK-T1-GE3
a partir de € 0,795*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: TO263-7 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 4,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Vishay
SUM70040M-GE3
a partir de € 1,35*
por unidad
 
 unidad
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM110NB04LCR RLG MOSFET, CANAL N, 40V, 54A, PDFN56 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.008 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Taiwan Semiconductor
TSM110NB04LCR RLG
a partir de € 0,556*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS ADP360120W3 MOSFET, SIC, 1.2KV, 379A, MàDULO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 18 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00255 ohm Gama de Producto Acepack Drive Series Número de Pines 30 Pines Configuración de Módulo MOSFET Pack x 6 Tipo...
ST Microelectronics
ADP360120W3
a partir de € 2.238,82*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A (3 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 4,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Vishay
SUP70042E-GE3
a partir de € 0,545*
por unidad
 
 unidad
TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM220NB06CR RLG MOSFET, CANAL N, 60V, 35A, PDFN56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Taiwan Semiconductor
TSM220NB06CR RLG
a partir de € 0,408*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 7,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disip...
Vishay
SIR870DP-T1-GE3
a partir de € 4.459,68*
por 3.000 unidades
 
 envase
TOSHIBA SSM3J56MFV,L3F(T MOSFET, P-CH, 20V, 0.8A, SOT-723 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.31 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Co...
Toshiba
SSM3J56MFV,L3F(T
a partir de € 0,286*
por 5 unidades
 
 envase
STMICROELECTRONICS SCTWA35N65G2V MOSFET, SIC, 650V, 45A, HIP247 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.045 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Encaps...
ST Microelectronics
SCTWA35N65G2V
a partir de € 9,70*
por unidad
 
 unidad
TOSHIBA SSM3K123TU,LF(T MOSFET, N-CH, 20V, 4.2A, SOT-323F (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
Toshiba
SSM3K123TU,LF(T
a partir de € 0,4745*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 80A; 83W (2 ofertas) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: PowerPAK® SO8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 11,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disi...
Vishay
SIR882DP-T1-GE3
a partir de € 1,004*
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