MOSFET | MERCATEO (Página 289/1.692)

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Infineon IPD25CN10N G transistore 75 V (2 ofertas)

Infineon

IPD25CN10NGATMA1

a partir de € 0,435*
por unidad

STMICROELECTRONICS SCTW35N65G2V MOSFET, CANAL N, 650V, 45A, 200°C, 240W (3 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 20 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.045 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Configuración de Módulo MOSFET Simple Tipo de Canal Canal N Corrie...

ST Microelectronics

SCTW35N65G2V

a partir de € 9,45*
por unidad

Infineon IPD034N06N3 G transistore 30 V (3 ofertas)

Infineon

IPD034N06N3GATMA1

a partir de € 0,758*
por unidad

ROHM RUQ050N02TR MOSFET, CANAL N, 20V, 5A, TSMT (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.022 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...

ROHM Semiconductor

RUQ050N02TR

a partir de € 1,33*
por 5 unidades

Infineon IPB017N06N3 G transistore 100 V (2 ofertas)

Infineon

IPB017N06N3GATMA1

a partir de € 1,70*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STB100NF04T4, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics. Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

ST Microelectronics

STB100NF04T4

a partir de € 1,71*
por unidad

MOSFET Infineon IPN50R1K4CEATMA1, VDSS 550 V, ID 4,8 A, SOT-223 de 3 pines (1 oferta)

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET

Infineon

IPN50R1K4CEATMA1

a partir de € 444,00*
por 3.000 unidades

ROHM RUR040N02FRATL MOSFET AEC-Q101 CANAL N, 20V, 4A, TSMT-3 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...

ROHM Semiconductor

RUR040N02FRATL

a partir de € 0,211*
por unidad

Infineon IPD50R380CE transistore 500 V (1 oferta)

Infineon

IPD50R380CEAUMA1

a partir de € 4,60*
por 10 unidades

STMICROELECTRONICS STB13N80K5 MOSFET, CANAL P, 800V, 12A, 190W, TO-263 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.37 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines ...

ST Microelectronics

STB13N80K5

a partir de € 2,45*
por unidad

Infineon IPD053N08N3 G transistore 30 V (2 ofertas)

Infineon

IPD053N08N3GATMA1

a partir de € 0,808*
por unidad

ROHM RX3G07CGNC16 MOSFET, CANAL N, 40V, 70A, TO-220AB (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0035 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor ...

ROHM Semiconductor

RX3G07CGNC16

a partir de € 0,925*
por unidad

MOSFET Infineon IPB020N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 176 A, TO 263 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

El Infineon IPB020N10N5 es un MOSFET de potencia optiMOS de 5 100V V en encapsulado D2PAK con un 22 % menos de RDS(on). Está especialmente diseñado para rectificación síncrona en bloques de telecom...

Infineon

IPB020N10N5ATMA1

a partir de € 26,795*
por 5 unidades