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MOSFET Infineon IRF8788TRPBF, VDSS 30 V, ID 24 A, SOIC de 8 pines (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...
Infineon
IRF8788TRPBF
€ 1.888,00*
por 4.000 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics STW45N65M5, VDSS 710 V, ID 35 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas) 
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics. El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de ...
ST Microelectronics
STW45N65M5
a partir de € 4,83*
por unidad
 
 unidad
VISHAY IRF9Z30PBF MOSFET, CANAL P, -50V, -18A, TO-220AB-3 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.093 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O...
Vishay
IRF9Z30PBF
a partir de € 0,398*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IRFB4332PBF
a partir de € 1,72*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STW48N60M2 MOSFET, CANAL N, 600V, 42A, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.06 ohm Gama de Producto MDmesh M2 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines ...
ST Microelectronics
STW48N60M2
a partir de € 4,00*
por unidad
 
 unidad
VISHAY IRFBC30PBF MOSFET, N-CH, 600V, 3.6A, TO-220 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 2.2 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encapsu...
Vishay
IRFBC30PBF
a partir de € 0,46*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF9310TRPBF, VDSS 30 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...
Infineon
IRF9310TRPBF
€ 2.360,00*
por 4.000 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics STW56N60DM2, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics. Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie ...
ST Microelectronics
STW56N60DM2
a partir de € 5,61*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 8 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N doble, Infineon. Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio ...
Infineon
IRF7351TRPBF
a partir de € 0,398*
por unidad
 
 unidad
VISHAY IRFBC40PBF MOSFET, N-CH, 600V, 6.2A, TO-220 (4 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.2 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Encapsu...
Vishay
IRFBC40PBF
a partir de € 0,61*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRFH5006TRPBF, VDSS 60 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...
Infineon
IRFH5006TRPBF
€ 4.872,00*
por 4.000 unidades
 
 envase
MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM2, VDSS 600 V, ID 66 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics. Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie ...
ST Microelectronics
STW70N60DM2
a partir de € 6,77*
por unidad
 
 unidad
VISHAY IRFD123PBF N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.3A, Channel Ty (3 ofertas) 
Gama de Producto - Montaje de Transistor Through Hole Número de Pines 4 Pines Encapsulado del Transistor HVMDIP Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.27 ohm Nivel de Sensibilidad a la Hu...
Vishay
IRFD123PBF
a partir de € 0,40*
por unidad
 
 unidad
Infineon
IRF9321TRPBF
a partir de € 0,323*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STW75N60M6-4 MOSFET, CANAL N, 600V, 72A, TO-247 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.032 ohm Gama de Producto MDmesh M6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines...
ST Microelectronics
STW75N60M6-4
a partir de € 7,78*
por unidad
 
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