MOSFET | MERCATEO (Página 311/1.692)

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MOSFET Infineon IRF5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conex...

Infineon

IRF5305PBF

a partir de € 25,25*
por 50 unidades

MOSFET STMicroelectronics STW20NM60FD, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de potencia FDmesh™ de canal N, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW20NM60FD

a partir de € 2,29*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STP18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STP18NM80

a partir de € 2,90*
por unidad

Infineon IPW65R190C7 transistore 650 V (2 ofertas)

Infineon

IPW65R190C7XKSA1

a partir de € 1,64*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2, VDSS 650 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics. Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de cap...

ST Microelectronics

STW24N60M2

a partir de € 1,60*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7406TRPBF, VDSS 30 V, ID 5,8 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...

Infineon

IRF7406TRPBF

€ 2.284,00*
por 4.000 unidades

STMICROELECTRONICS STP20NM60 MOSFET, N-CH, 600V, 20A, TO-220 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 30 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.29 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...

ST Microelectronics

STP20NM60

a partir de € 1,68*
por unidad

MOSFET Infineon IRF530NPBF, VDSS 100 V, ID 17 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta)

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y ...

Infineon

IRF530NPBF

a partir de € 20,75*
por 50 unidades

MOSFET STMicroelectronics STW26NM60N, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

ST Microelectronics

STW26NM60N

a partir de € 3,084*
por unidad

MOSFET Infineon IRF5305STRLPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Infineon

IRF5305STRLPBF

a partir de € 0,593*
por unidad

STMICROELECTRONICS STP24N60DM2 MOSFET, CANAL N, 600V, 18A, TO-220AB (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.175 ohm Gama de Producto FDmesh II Plus Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 ...

ST Microelectronics

STP24N60DM2

a partir de € 1,66*
por unidad

Infineon IPZ65R045C7 transistore 650 V (3 ofertas)

Infineon

IPZ65R045C7XKSA1

a partir de € 7,43*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STW28N60M2, VDSS 650 V, ID 22 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

ST Microelectronics

STW28N60M2

a partir de € 1,57*
por unidad

STMICROELECTRONICS STP25N60M2-EP MOSFET, CANAL N, 600V, 18A, TO-220AB (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.175 ohm Gama de Producto MDmesh M2 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...

ST Microelectronics

STP25N60M2-EP

a partir de € 1,25*
por unidad

MOSFET Infineon IRF540NLPBF, VDSS 100 V, ID 33 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple (1 oferta)

Infineon

IRF540NLPBF

a partir de € 9,28*
por 10 unidades

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