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  MOSFET  (25.085 ofertas entre 5.820.361 artículos)

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Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW40N120G2VAG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = HiP247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
ST Microelectronics
SCTW40N120G2VAG
a partir de € 17,90*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 150V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 16mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFT120N15P
a partir de € 5,93*
por unidad
 
 unidad
INFINEON BSC0402NSATMA1 MOSFET, CANAL N, 150V, 80A, TDSON (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0079 ohm Gama de Producto OptiMOS 5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pine...
Infineon
BSC0402NSATMA1
a partir de € 1,31*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTWA20N120, VDSS 1.200 V, ID 20 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia d...
ST Microelectronics
SCTWA20N120
a partir de € 12,801*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 5A; 70W; IPAK (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: IPAK Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 5A Resistencia en estado de transferencia: 0,55Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
ST Microelectronics
STU10NM60N
a partir de € 0,54*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSC061N08NS5 transistore 100 V (2 ofertas)
Infineon
BSC061N08NS5ATMA1
a partir de € 0,724*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPP17N25S3-100 transistore 250 V (1 oferta)
Infineon
IPP17N25S3100AKSA1
a partir de € 1,70*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSC047N08NS3 G transistore 40 V (2 ofertas)
Infineon
BSC047N08NS3GATMA1
a partir de € 1,333*
por unidad
 
 unidad
MOSFET + Diodo Vishay SIHK075N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Vishay
SIHK075N60EF-T1GE3
a partir de € 5,099*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 120A; 714W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tiempo de disponibilidad: 180ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 22mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXTK120N20P
a partir de € 7,77*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSC070N10LS5 transistore 100 V (2 ofertas)
Infineon
BSC070N10LS5ATMA1
a partir de € 4,06*
por 5 unidades
 
 envase
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTWA30N120, VDSS 1.200 V, ID 45 A, HiP247 de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics: El MOSFET de potencia de carburo de silicio se fabrica aprovechando las propiedades Advanced e innovadoras de materiales de banda ancha. Esto da como resultado una resistencia d...
ST Microelectronics
SCTWA30N120
a partir de € 22,523*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSC0501NSI transistore 25 V (2 ofertas)
Infineon
BSC0501NSIATMA1
a partir de € 0,576*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics STB33N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM...
ST Microelectronics
STB33N60DM6
a partir de € 4,426*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8,2A; 30W (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 8,2A Resistencia en estado de transferencia: 0,285Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pod...
ST Microelectronics
STF18NM60N
a partir de € 1,18*
por unidad
 
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