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  MOSFET  (25.180 ofertas entre 5.804.306 artículos)

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MOSFET Infineon IMBG65R260M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 6 A, TO-263-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número d...
Infineon
IMBG65R260M1HXTMA1
a partir de € 2,09*
por unidad
 
 unidad
MOSFET + Diodo Infineon IPD80R4K5P7ATMA1, ID 1,5 A, PG-TO252-3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 1,5 A Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3
Infineon
IPD80R4K5P7ATMA1
a partir de € 0,313*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ460P2 MOSFET, CANAL N, 500V, 24A, TO-3P (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.27 ohm Gama de Producto PolarP2 Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N ...
IXYS
IXTQ460P2
a partir de € 3,50*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTH100N65G2-7AG, VDSS 650 V, ID 98 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispos...
ST Microelectronics
SCTH100N65G2-7AG
a partir de € 23,473*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 120A; 300W (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET P...
Infineon
IPP120N04S302AKSA1
a partir de € 2,27*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPA029N06N transistore 80 V (3 ofertas)
Infineon
IPA029N06NXKSA1
a partir de € 1,20*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics STP33N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, TO-220FP de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = ST Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima ...
ST Microelectronics
STP33N60DM6
a partir de € 3,412*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXTQ75N10P MOSFET, CANAL N, 100V, 75A, TO-3P (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.021 ohm Gama de Producto PolarHT Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N...
IXYS
IXTQ75N10P
a partir de € 2,30*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET Wolfspeed CAB011M12FM3, VDSS 1200 V, ID 109 A (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 109 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1200 V Tipo de Montaje = Montaje en panel
Wolfspeed
CAB011M12FM3
€ 3.538,098*
por 18 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPA041N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, TO-220 FP de 3 pines (3 ofertas) 
Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 dispone no solo de R DS(on) más bajo del sector, sino también de un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Adva...
Infineon
IPA041N04NGXKSA1
a partir de € 0,639*
por unidad
 
 unidad
MOSFET + Diodo Vishay SIHK075N60EF-T1GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, PowerPAK 10 x 12 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8...
Vishay
SIHK075N60EF-T1GE3
a partir de € 5,099*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPA50R950CE transistore 500 V (3 ofertas)
Infineon
IPA50R950CEXKSA2
a partir de € 0,239*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics SCTW100N65G2AG, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCT Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drena...
ST Microelectronics
SCTW100N65G2AG
a partir de € 30,74*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; Polar2™; unipolar; 500V; 94A; 1300W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 250ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 94A Resistencia en estado de transferencia: 55mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFX94N50P2
a partir de € 15,17*
por unidad
 
 unidad
Módulo MOSFET STMicroelectronics STW70N60DM6-4, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 62 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = ST Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia Máxima ...
ST Microelectronics
STW70N60DM6-4
a partir de € 9,98*
por unidad
 
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