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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.273 artículos)

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MOSFET onsemi NTMTSC1D6N10MCTXG, VDSS 100 V, ID 267 A, TDFNW8 de 8 pines (2 ofertas) 
on Semiconductor serie NTMFS es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenaje a fuente de 100 V. Normalmente se utiliza rectificación síncrona y conversión dc-dc.Sin plomo En conformidad co...
onsemi
NTMTSC1D6N10MCTXG
a partir de € 2,89*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 2,7A; 45W; DPAK; ESD (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 620V Corriente del drenaje: 2,7A Resistencia en estado de transferencia: 2,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
ST Microelectronics
STD3N62K3
a partir de € 0,37*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJ570EP-T1_GE3 MOSFET, COMPLEMENTARIO, 100V, 15A, 27W (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 100 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 15 A Gama de Producto TrenchFET Series Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 100 V Corriente d...
Vishay
SQJ570EP-T1_GE3
a partir de € 0,398*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2,5A; Idm: 16A; 77W; TO251 (1 oferta) 
Fabricante: BRIDGELUX Montaje: THT Carcasa: TO251 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2,5A Resistencia en estado de transferencia: 2,8Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
Bridgelux
BXP4N65U
a partir de € 0,132*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQ7414CENW-T1_GE3 MOSFET, AUTO, CANAL N, 60V, POWERPAK1212 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.016 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines...
Vishay
SQ7414CENW-T1_GE3
a partir de € 0,364*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS5C612NT1G-TE, VDSS 60 V, ID 230 A, DFN5 de 5 pines (1 oferta) 
on Semiconductor serie NTMFS es un MOSFET de canal N que tiene una tensión de drenaje a fuente de 60 V. Normalmente se utiliza rectificación síncrona, fuentes de alimentación ac−dc y dc−dc y adapta...
onsemi
NTMFS5C612NT1G-TE
a partir de € 3,632*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 2A Resistencia en estado de transferencia: 4,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder d...
YANGJIE TECHNOLOGY
YJ2N65CI
a partir de € 0,108*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SQJ850EP-T1_GE3 MOSFET, N CH, W DIODE, 60V, 24A, POPAK8L (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje...
Vishay
SQJ850EP-T1_GE3
a partir de € 0,642*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMJS1D6N06CLTWG, VDSS 60 V, ID 250 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenc...
onsemi
NTMJS1D6N06CLTWG
€ 4.341,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 25A; 3,2W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: VISHAY Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 36mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 3,2W Pol...
Vishay
SI4436DY-T1-E3
a partir de € 0,41*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQ9407EY-T1_GE3 MOSFET, CANAL P, 60V, 4.6A, 175°C, 3.75W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.067 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Ca...
Vishay
SQ9407EY-T1_GE3
a partir de € 2,275*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10,1A; 83W; PG-VSON-4 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-VSON-4 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 10,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPL65R420E6AUMA1
a partir de € 1,11*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SQJ946EP-T1_GE3 MOSFET, 2X CANAL N, 40V, POWERPAK SO-8L (1 oferta) 
Disipación de Potencia Canal N 27 W Disipación de Potencia Canal P 27 W Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 40 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 15 A Gama de Producto TrenchFET Series Númer...
Vishay
SQJ946EP-T1_GE3
a partir de € 1,645*
por 5 unidades
 
 envase
Infineon IPI65R190C6 transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPI65R190C6XKSA1
a partir de € 1,63*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS5C645NT1G, VDSS 60 V, ID 20 A, DFN (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN Tipo de Montaje = Montaje superficial
onsemi
NTMFS5C645NT1G
a partir de € 1,723*
por unidad
 
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