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  MOSFET  (25.085 ofertas entre 5.820.361 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 210A; 1500W; PLUS264™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS264™ Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 210A Resistencia en estado de transferencia: 10,5mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
IXYS
IXFB210N20P
a partir de € 22,55*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IMBG65R260M1HXTMA1, VDSS 650 V, ID 6 A, TO-263-7 de 7 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-263-7 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Número d...
Infineon
IMBG65R260M1HXTMA1
a partir de € 2,08*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2710UW-7, VDSS 20 V, ID 900 mA, SOT-323 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 900 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Serie = DMN Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenad...
Diodes
DMN2710UW-7
a partir de € 90,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 20A; 625W (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT12060LVRG
a partir de € 19,08*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPA60R120P7 transistore 600 V (2 ofertas)
Infineon
IPA60R120P7XKSA1
a partir de € 1,50*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1,2kV; 10A; Idm: 40A (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 10A Resistencia en estado de transferencia: 1,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Po...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT1201R5BVFRG
a partir de € 26,13*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPA029N06N transistore 80 V (3 ofertas)
Infineon
IPA029N06NXKSA1
a partir de € 1,21*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN10H170SFGQ-7, VDSS 100 V, ID 3,7 A, PowerDI3333-8 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = DMN10 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dren...
Diodes
DMN10H170SFGQ-7
€ 520,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 20A; 660W; TO268; 300ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO268 Tiempo de disponibilidad: 300ns Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 570mΩ Tipo de transistor:...
IXYS
IXFT20N100P
a partir de € 8,80*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPA60R160P7 transistore 600 V (2 ofertas)
Infineon
IPA60R160P7XKSA1
a partir de € 1,21*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2053UWQ-7, VDSS 20 V, ID 2,9 A, SOT-323 de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET DiodesZetex serie DMN2053UW está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión, mantener un rendimiento de conmutación superior que lo convierte en ideal para aplicaciones ...
Diodes
DMN2053UWQ-7
a partir de € 0,101*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK140N30P MOSFET, N, TO-264 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.024 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor O...
IXYS
IXFK140N30P
a partir de € 13,77*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPA041N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, TO-220 FP de 3 pines (3 ofertas) 
Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 dispone no solo de R DS(on) más bajo del sector, sino también de un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Adva...
Infineon
IPA041N04NGXKSA1
a partir de € 0,47*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2991UFB4-7B, VDSS 20 V, ID 500 mA, X2-DFN1006 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 500 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN1006 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3
Diodes
DMN2991UFB4-7B
€ 410,00*
por 10.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 100A; 520W (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 100A Resistencia en estado de transferencia: 11mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Pode...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT10M11LVRG
a partir de € 37,04*
por unidad
 
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