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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.014 artículos)

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INFINEON IAUA250N04S6N007AUMA1 MOSFET, CANAL N, 40V, 435A, HSOF (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 500 µohm Gama de Producto OptiMOS 6 Número de Pines 5 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Can...
Infineon
IAUA250N04S6N007AUMA1
a partir de € 1,71*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMC2053UFDB-7, VDSS 20 V, ID 3,1 A, 4,6 A, U-DFN2020 de 6 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,1 A, 4,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = U-DFN2020 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines ...
Diodes
DMC2053UFDB-7
a partir de € 0,178*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 500V; 37A; 300W; 200ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 200ns Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 37A Resistencia en estado de transferencia: 95mΩ Tipo de trans...
IXYS
IXFR64N50P
a partir de € 11,85*
por unidad
 
 unidad
Infineon IAUC120N04S6L012 transistore 40 V (2 ofertas)
Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1
a partir de € 0,627*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMN2024UFX-7, VDSS 20 V, ID 8 A, V-DFN2050-4 de 4 pines (2 ofertas) 
DiodesZetex serie DMN2024UFX es un MOSFET de canal N doble. Se utiliza en funciones de interfaz de uso general y de gestión de potencia.Baja resistencia Puerta con protección contra ESD
Diodes
DMN2024UFX-7
a partir de € 0,905*
por 5 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 600V; 22A; 400W; TO3P (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 0,5µs Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 22A Resistencia en estado de transferencia: 0,35Ω Tipo de transistor:...
IXYS
IXTQ22N60P
a partir de € 3,77*
por unidad
 
 unidad
Infineon IAUC100N04S6L020 transistore 30 V (2 ofertas)
Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1
a partir de € 2,225*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET DiodesZetex DMC31D5UDAQ-7B, VDSS 30 V, ID 400 mA, X2-DFN0806-6 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 400 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = X2-DFN0806-6 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Diodes
DMC31D5UDAQ-7B
€ 350,00*
por 10.000 unidades
 
 envase
Infineon IAUC120N04S6N010 transistore 40 V (2 ofertas)
Infineon
IAUC120N04S6N010ATMA1
a partir de € 0,844*
por unidad
 
 unidades
MOSFET DiodesZetex DMG1012UWQ-7, VDSS 20 V, ID 950 mA, SOT-323 de 3 pines (2 ofertas) 
El MOSFET de modo de mejora de canal N DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte...
Diodes
DMG1012UWQ-7
a partir de € 0,0524*
por unidad
 
 unidad
Infineon IAUC100N04S6N015 transistore 40 V (2 ofertas)
Infineon
IAUC100N04S6N015ATMA1
a partir de € 0,526*
por unidad
 
 unidad
MOSFET DiodesZetex DMC2710UDWQ-7, VDSS 20 V, ID 600 mA, 750 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N, P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 600 mA, 750 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SOT-363 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines ...
Diodes
DMC2710UDWQ-7
a partir de € 0,182*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; PolarHV™; unipolar; 800V; 3,6A; Idm: 8A; 100W (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 560ns Tensión drenaje-fuente: 800V Corriente del drenaje: 3,6A Resistencia en estado de transferencia: 3,4Ω Tipo de transistor...
IXYS
IXTA4N80P
a partir de € 1,33*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUC120N06S5N017ATMA1, VDSS 60 V, ID 120 A, PG-TDSON (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUC120N06S5N017ATMA1
a partir de € 0,958*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,1kV; 24A; Idm: 100A; 500W (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: SMPD Tiempo de disponibilidad: 300ns Tensión drenaje-fuente: 1,1kV Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,29Ω Tipo de transistor...
IXYS
MMIX1F40N110P
a partir de € 45,22*
por unidad
 
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