MOSFET | MERCATEO (Página 695/1.692)

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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W (2 ofertas)

Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 29A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Po...

Genesic Semiconductor

G3R75MT12D

a partir de € 7,44*
por unidad

Infineon IPD60R145CFD7 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPD60R145CFD7ATMA1

a partir de € 1,413*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMP1005UFDF-7, VDSS 12 V, ID 12,8 A, U-DFN2020 de 6 pines, , config. Simple (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 12 V Tipo de Encapsulado = U-DFN2020 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resis...

Diodes

DMP1005UFDF-7

€ 480,00*
por 3.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 17A; 103W; TO247 (1 oferta)

Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 17A Resistencia en estado de transferencia: 0,16Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...

ROHM Semiconductor

SCT3160KLGC11

a partir de € 10,63*
por unidad

Infineon IPD60R1K4C6 transistore 800 V (1 oferta)

Infineon

IPD60R1K4C6ATMA1

a partir de € 0,331*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN53D0LV-7, VDSS 50 V, ID 350 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 350 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = SOT-563 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Resiste...

Diodes

DMN53D0LV-7

a partir de € 0,415*
por 5 unidades

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 25A; Idm: 80A; 179W (2 ofertas)

Fabricante: LITTELFUSE Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 25A Resistencia en estado de transferencia: 80mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipad...

Littelfuse

LSIC1MO120E0080

a partir de € 13,75*
por unidad

Infineon IPD60R180C7 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPD60R180C7ATMA1

a partir de € 1,241*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 16A; Idm: 40A; 123W (2 ofertas)

Fabricante: GeneSiC SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 1,2kV Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 0,16Ω Tipo de transistor: N-MOSFET P...

Genesic Semiconductor

G3R160MT12D

a partir de € 4,37*
por unidad

Infineon IPD60R2K0C6 transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPD60R2K0C6ATMA1

a partir de € 0,282*
por unidad

MOSFET DiodesZetex DMN61D9UT-7, VDSS 60 V, ID 380 mA, SOT-23 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 380 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = DMN61D9U Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima D...

Diodes

DMN61D9UT-7

€ 171,00*
por 3.000 unidades

Infineon IPD60R2K1CE transistore 600 V (2 ofertas)

Infineon

IPD60R2K1CEAUMA1

a partir de € 0,86*
por 5 unidades

MOSFET DiodesZetex DMP2004UFG-13, VDSS 20 V, ID 115 A, PowerDI3333-8 (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 115 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = PowerDI3333-8

Diodes

DMP2004UFG-13

a partir de € 0,417*
por unidad

MOSFET Wolfspeed C3M0075120D, VDSS 1.200 V, ID 30 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Wolfspeed extiende su liderazgo en tecnología SiC al introducir Advanced SiC MOSFET. Los diseñadores pueden reducir el recuento de componentes pasando de topologías basadas en silicio de tres nivel...

Wolfspeed

C3M0075120D

a partir de € 10,39*
por unidad

Infineon IPD60R360CFD7 transistore 600 V (1 oferta)

Infineon

IPD60R360CFD7ATMA1

a partir de € 0,746*
por unidad

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