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  MOSFET  (25.383 ofertas entre 5.870.110 artículos)

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VISHAY SIRA88BDP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 40A, 150°C, 17W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0055 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIRA88BDP-T1-GE3
a partir de € 0,137*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLU8743PBF, VDSS 30 V, ID 160 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple (4 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N de 30V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y lo...
Infineon
IRLU8743PBF
a partir de € 0,558*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIA456DJ-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 200 V, 2.6 A, SC-70-6 (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1.08 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
Vishay
SIA456DJ-T1-GE3
a partir de € 0,301*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLML9303TRPBF, VDSS 30 V, ID 2,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fa...
Infineon
IRLML9303TRPBF
a partir de € 210,00*
por 3.000 unidades
 
 envase
VISHAY SIRA90DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 100A, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 650 µohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines ...
Vishay
SIRA90DP-T1-GE3
a partir de € 0,615*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLR2705TRPBF, VDSS 55 V, ID 28 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...
Infineon
IRLR2705TRPBF
a partir de € 0,284*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIA461DJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 12 A, PowerPAK SC-70 de 6 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal P, de 8 V a 20 V, Vishay Semiconductor
Vishay
SIA461DJ-T1-GE3
a partir de € 0,141*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLZ24NPBF, VDSS 55 V, ID 18 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...
Infineon
IRLZ24NPBF
a partir de € 20,70*
por 50 unidades
 
 envase
VISHAY SIRC06DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 60A, 150°C, 50W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0022 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIRC06DP-T1-GE3
a partir de € 0,334*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLZ44NPBF, VDSS 55 V, ID 47 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...
Infineon
IRLZ44NPBF
a partir de € 24,35*
por 50 unidades
 
 envase
VISHAY SIDR220DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 25V, 100A, 150°C, 125W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 480 µohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8...
Vishay
SIDR220DP-T1-GE3
a partir de € 1,12*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLMS2002TRPBF, VDSS 20 V, ID 6,5 A, Micro6 de 6 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión...
Infineon
IRLMS2002TRPBF
a partir de € 10,44*
por 30 unidades
 
 envase
VISHAY SIS407DN-T1-GE3 MOSFET, P CH, -20V, -25A, PPAK1212-8 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0082 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor...
Vishay
SIS407DN-T1-GE3
a partir de € 0,377*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIDR392DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 30V, 100A, 150°C, 125W (3 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 470 µohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8...
Vishay
SIDR392DP-T1-GE3
a partir de € 0,977*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRLZ34NSTRLPBF, VDSS 55 V, ID 30 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y fac...
Infineon
IRLZ34NSTRLPBF
a partir de € 11,18*
por 20 unidades
 
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