Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.009 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7,3A; 63W; PG-TO252-3 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: PG-TO252-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 7,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω Tipo de transistor: N-MOSFET...
Infineon
IPD65R600E6ATMA1
a partir de € 0,65*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiR106ADP-T1-RE3, VDSS 100 V, ID 65,8 A, POWERPAK SO-8 de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 65,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = TrenchFET® Gen IV Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistenci...
Vishay
SiR106ADP-T1-RE3
a partir de € 3,185*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay SiSS30ADN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 54,7 A, POWERPAK 1212-8S de 8 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 54,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = POWERPAK 1212-8S Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = ...
Vishay
SiSS30ADN-T1-GE3
a partir de € 0,475*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM BSS84WT106, VDSS 60 V, ID 210 mA, UMT3 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 210 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = UMT3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Ca...
ROHM Semiconductor
BSS84WT106
a partir de € 0,0659*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 53,5A; 391W; PG-TO247-3 (2 ofertas) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 53,5A Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ Tipo de transistor: N-MOSFE...
Infineon
IPW65R070C6FKSA1
a partir de € 5,73*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIR122DP-T1-RE3 MOSFET, CANAL N, 59.6A, 80V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0061 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIR122DP-T1-RE3
a partir de € 0,415*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Montaje = Montaje superficial
Renesas Electronics
NP100P06PDG-E1-AY
€ 2.467,20*
por 800 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO263; 390ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 390ns Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 24A Resistencia en estado de transferencia: 0,145Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTA24N65X2
a partir de € 2,70*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SISS30LDN-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 55.5 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET N-Canal 80 V (D-S).MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV Muy bajo RDS x Qg figura de mérito (FOM) Sintonizado para el RDS más bajo x QOSS FOM
Vishay
SISS30LDN-T1-GE3
a partir de € 0,453*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVMFSC1D6N06CL, VDSS 60 V, ID 224 A, DFN8 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 224 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DFN8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resis...
onsemi
NVMFSC1D6N06CL
a partir de € 4,48*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SIR124DP-T1-RE3 MOSFET, CANAL N, 56.8A, 80V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00695 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pine...
Vishay
SIR124DP-T1-RE3
a partir de € 0,482*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NVTFS5124PLTAG, VDSS 60 V, ID 1,7 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple (1 oferta) 
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
onsemi
NVTFS5124PLTAG
€ 423,00*
por 1.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 26A; Idm: 36A; 460W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 26A Resistencia en estado de transferencia: 0,13Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 460...
IXYS
IXFH26N65X2
a partir de € 6,95*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SISS32DN-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 80V, 63A, 150°C, 65.7W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.006 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines ...
Vishay
SISS32DN-T1-GE3
a partir de € 0,482*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIR184DP-T1-RE3 MOSFET, CANAL N, 60V, 73A, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0047 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIR184DP-T1-RE3
a partir de € 2,42*
por 5 unidades
 
 envase
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1191   1192   1193   1194   1195   1196   1197   1198   1199   1200   1201   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.