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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.818.054 artículos)

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MOSFET Infineon BSC070N10LS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 79 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 79 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de ...
Infineon
BSC070N10LS5ATMA1
a partir de € 1,654*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6,8A; Idm: 56A; 35W; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 6,8A Resistencia en estado de transferencia: 0,16Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
NTE Electronics
NTE2942
a partir de € 1,75*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSF450NE7NH3XUMA1, VDSS 75 V, ID 15 A, MG-WDSON-2 de 6 pines (1 oferta) 
La gama Infineon de tecnología OptiMOS 75V se especializa en aplicaciones de rectificación síncrona. Basados en la tecnología 80V líder, estos productos 75V ofrecen simultáneamente las resistencias...
Infineon
BSF450NE7NH3XUMA1
a partir de € 1,005*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXTP12N65X2 MOSFET, CANAL N, 650V, 12A, TO-220AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.3 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
IXYS
IXTP12N65X2
a partir de € 1,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC096N10LS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 72 A, TDSON de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 72 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TDSON Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número de ...
Infineon
BSC096N10LS5ATMA1
a partir de € 1,253*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK44N80P MOSFET, N, TO-264 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.19 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...
IXYS
IXFK44N80P
a partir de € 12,88*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSC350N20NSFD transistore 200 V (1 oferta)
Infineon
BSC350N20NSFDATMA1
€ 7.235,00*
por 5.000 unidades
 
 envase
IXYS SEMICONDUCTOR IXTP14N60X2 MOSFET, N CH, 600V, 14A, TO-220 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.25 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...
IXYS
IXTP14N60X2
a partir de € 2,48*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC072N04LDATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Nú...
Infineon
BSC072N04LDATMA1
a partir de € 1,105*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon BSG0811NDATMA1, VDSS 25 V, ID 50 A, TISON-8 de 8 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Serie = OptiMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dre...
Infineon
BSG0811NDATMA1
a partir de € 1,545*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 50A; 63W; VSONP8; 5x6mm (1 oferta) 
Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: SMD Carcasa: VSONP8 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 12,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
Texas Instruments
CSD19534Q5AT
a partir de € 0,84*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon BSC098N10NS5ATMA1, VDSS 100 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
El diseño Infineon de MOSFET, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor cont...
Infineon
BSC098N10NS5ATMA1
a partir de € 0,789*
por unidad
 
 unidades
IXYS SEMICONDUCTOR IXFK88N30P MOSFET, N, TO-264 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.04 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Or...
IXYS
IXFK88N30P
a partir de € 9,19*
por unidad
 
 unidad
Infineon BSC520N15NS3 G transistore 100 V (2 ofertas)
Infineon
BSC520N15NS3GATMA1
a partir de € 0,612*
por unidad
 
 unidad
IXYS SEMICONDUCTOR IXTP26P20P MOSFET, CANAL P, 200V, 26A, TO-220AB (2 ofertas) 
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto PolarP Número de Pines 3 Pi...
IXYS
IXTP26P20P
a partir de € 3,65*
por unidad
 
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