MOSFET | MERCATEO (Página 776/1.693)

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IXYS SEMICONDUCTOR IXTA26P20P MOSFET, CANAL P, 200V, 26A, TO-263AA (2 ofertas)

Disipación de Potencia 300 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 4 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (12-Jan-2017) Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaj...

IXYS

IXTA26P20P

a partir de € 3,91*
por unidad

Infineon BSC350N20NSFD transistore 200 V (1 oferta)

Infineon

BSC350N20NSFDATMA1

€ 6.895,00*
por 5.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6,9A; 42W; TO220FP (1 oferta)

Fabricante: VISHAY Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 6,9A Resistencia en estado de transferencia: 0,16Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...

Vishay

IRFI530GPBF

a partir de € 0,41*
por unidad

IXYS SEMICONDUCTOR IXTA44P15T MOSFET, CANAL P, 150V, 44A, TO-263AA (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.065 ohm Gama de Producto TrenchP Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Cana...

IXYS

IXTA44P15T

a partir de € 3,41*
por unidad

MOSFET Infineon BSC070N10NS5SCATMA1, VDSS 100 V, ID 82 A, PG-WSON (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 82 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-WSON Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

BSC070N10NS5SCATMA1

€ 4.388,00*
por 4.000 unidades

Infineon IRF6665 transistore 100 V (1 oferta)

Infineon

IRF6665TRPBF

a partir de € 5.708,208*
por 4.800 unidades

Infineon BSC098N10NS5 transistore 100 V (1 oferta)

Infineon

BSC098N10NS5ATMA1

€ 3.050,00*
por 5.000 unidades

IXYS SEMICONDUCTOR IXTA76P10T MOSFET, CANAL P, 100V, 76A, TO-263AA (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.025 ohm Gama de Producto TrenchP Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines M...

IXYS

IXTA76P10T

a partir de € 3,44*
por unidad

Infineon BSC520N15NS3 G transistore 100 V (2 ofertas)

Infineon

BSC520N15NS3GATMA1

a partir de € 0,598*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 140W; TO262 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 64A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 140W Polarización: unipolar Clase ...

Infineon

IRFSL4510PBF

a partir de € 0,69*
por unidad

MOSFET Infineon BSC0902NSIATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Infineon

BSC0902NSIATMA1

a partir de € 0,533*
por unidad

Infineon BSC670N25NSFD transistore 100 V (1 oferta)

Infineon

BSC670N25NSFDATMA1

€ 7.065,00*
por 5.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W (1 oferta)

Fabricante: NEXPERIA Montaje: THT Carcasa: TO220AB;SOT78 Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 65A Resistencia en estado de transferencia: 23,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...

Nexperia

PSMN009-100P,127

a partir de € 1,81*
por unidad

MOSFET Infineon BSC0906NSATMA1, VDSS 30 V, ID 63 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 63 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Infineon

BSC0906NSATMA1

a partir de € 0,285*
por unidad

TOSHIBA TK110P10PL,RQ(S2 MOSFET, CANAL N, 100V, 40A, TO-252 (2 ofertas)

Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 60 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Dren...

Toshiba

TK110P10PL,RQ(S2

a partir de € 0,407*
por unidad

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