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  MOSFET  (25.087 ofertas entre 5.752.298 artículos)

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NEXPERIA PMPB55XNEAX MOSFET, CANAL N, AEC-Q101, 3.8A, 30V (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.055 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PMPB55XNEAX
a partir de € 0,725*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUS300N08S5N012ATMA1, VDSS 80 V, ID 300 A, PG HSOG-8 (TOLG) de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 300 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = OptiMOS™ 5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima ...
Infineon
IAUS300N08S5N012ATMA1
€ 2,198*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PMPB14XPZ MOSFET, CANAL P, 12V, 12.7A, SOT-1220 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.014 ohm Gama de Producto - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P C...
Nexperia
PMPB14XPZ
a partir de € 0,54*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUA200N04S5N010AUMA1, VDSS 40 V, ID 200 A, PG-HSOF-5 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 200 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-5 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUA200N04S5N010AUMA1
€ 0,934*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; 150W; TO220AB (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 4A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 150W Polarización: unipolar Clase de empaquetado: t...
IXYS
IXFP4N100P
a partir de € 2,17*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB85ENEAX MOSFET AECQ101 CANAL N 60V 3A/DFN2020MD (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.072 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...
Nexperia
PMPB85ENEAX
a partir de € 0,0953*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUA250N04S6N005AUMA1, VDSS 40 V, ID 490 A, PG-HSOF-5 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 490 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-5 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUA250N04S6N005AUMA1
€ 3.660,00*
por 2.000 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 20A; Idm: 120A; 1,04kW; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
Microchip Technology
APT31M100L
a partir de € 17,22*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PMPB15XPAX MOSFET, CANAL P, -12V, -8.2A, SOT-1220 (1 oferta) 
Encapsulado del Transistor SOT-1220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 12 V Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.015 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibili...
Nexperia
PMPB15XPAX
a partir de € 0,88*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IAUC80N04S6L032ATMA1, VDSS 40 V, ID 80 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SuperSO8 5 x 6 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Nú...
Infineon
IAUC80N04S6L032ATMA1
€ 0,252*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PMT280ENEAX MOSFET, AEC-Q101, CANAL N, 100V, SOT-223 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.285 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaje...
Nexperia
PMT280ENEAX
a partir de € 0,163*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUS300N08S5N014TATMA1, VDSS 80 V, ID 327 A, PG HDSOP-16 (TOLT) de 16 pines (1 oferta) 
El Infineon IAUS300N08S5N014T es un MOSFET de 80 V con refrigeración por parte superior de 1,4 mΩ que se proporciona en el encapsulado TOLT con la tecnología OptiMOS-5 líder de Infineon. El disposi...
Infineon
IAUS300N08S5N014TATMA1
a partir de € 4,426*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PMPB19XP,115 MOSFET, CANAL N, 20V, 7.2A, DFN2020MD (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.019 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaj...
Nexperia
PMPB19XP,115
a partir de € 0,112*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IAUA250N04S6N007EAUMA1, VDSS 40 V, ID 250 A, PG-HSOF-5 (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 250 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-5 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IAUA250N04S6N007EAUMA1
a partir de € 0,974*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 4A; Idm: 16A; 139W; D3PAK (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP TECHNOLOGY Montaje: SMD Carcasa: D3PAK Tensión drenaje-fuente: 1kV Corriente del drenaje: 4A Resistencia en estado de transferencia: 3Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disi...
Microchip Technology
APT1003RSFLLG
a partir de € 11,57*
por unidad
 
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