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  MOSFET  (25.041 ofertas entre 5.817.915 artículos)

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MOSFET Infineon IPB026N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 100 A, PG-TO263-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB026N06NATMA1
a partir de € 1,201*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 104W; ISO247™; 120ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISO247™ Tiempo de disponibilidad: 120ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 44A Resistencia en estado de transferencia: 18mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXFJ80N25X3
a partir de € 7,89*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB120N08S403ATMA1, VDSS 80 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Este MOSFET Infineon OptiMOS T2 está probado 100 % para avalancha y es conforme con RoHS.Tiene certificación AEC Q101
Infineon
IPB120N08S403ATMA1
a partir de € 3,99*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6,2A; 1,6W; SuperSOT-6 (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SuperSOT-6 Tensión drenaje-fuente: 20V Corriente del drenaje: 6,2A Resistencia en estado de transferencia: 41mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
onsemi
FDC637BNZ
a partir de € 0,165*
por unidad
 
 unidades
NEXPERIA PSMN1R8-30MLHX MOSFET, CANAL N, 30V, 150A, 175°C, 106W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.00176 ohm Gama de Producto NextPowerS3 Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Cana...
Nexperia
PSMN1R8-30MLHX
a partir de € 0,456*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN5R0-40MLHX MOSFET, CANAL N, 40V, 85A, LFPAK33 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0039 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN5R0-40MLHX
a partir de € 0,385*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 320W; TO220AB; 95ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO220AB Tiempo de disponibilidad: 95ns Tensión drenaje-fuente: 250V Corriente del drenaje: 60A Resistencia en estado de transferencia: 23mΩ Tipo de transistor...
IXYS
IXFP60N25X3
a partir de € 4,28*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN2R2-30YLC,115 MOSFET, CANAL N, 30V, 100A, LFPAK56 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0018 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN2R2-30YLC,115
a partir de € 0,569*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB027N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 166 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 166 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IPB027N10N5ATMA1
a partir de € 3,085*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPB120N10S405ATMA1, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 120 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = D2PAK (TO-263) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 ...
Infineon
IPB120N10S405ATMA1
a partir de € 1,99*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN2R8-40YSDX MOSFET, CANAL N, 40V, 160A, 175°C, 147W (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0024 ohm Gama de Producto - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N C...
Nexperia
PSMN2R8-40YSDX
a partir de € 0,449*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 220mA; Idm: 0,8A; 1,2W; SOT23 (1 oferta) 
Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 240V Corriente del drenaje: 0,22A Resistencia en estado de transferencia: 12Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
Diodes
DMN24H11DS-7
a partir de € 0,148*
por unidad
 
 unidad
NEXPERIA PSMN6R0-30YLB,115 MOSFET, N CH, 30V, 71A, LFPAK (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0055 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pines Montaj...
Nexperia
PSMN6R0-30YLB,115
a partir de € 0,285*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPB180N04S4-00 transistore 40 V (1 oferta)
Infineon
IPB180N04S400ATMA1
€ 2.350,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
NEXPERIA PSMN3R0-30MLC,115 MOSFET, CANAL N, 30V, 70A, LFPAK33 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0027 ohm Gama de Producto NextPower Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...
Nexperia
PSMN3R0-30MLC,115
a partir de € 0,308*
por unidad
 
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