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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

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ONSEMI FDG6303N MOSFET, NN, FULL REEL (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 25 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Dren...
onsemi
FDG6303N
a partir de € 0,0904*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD12CN10NGATMA1, VDSS 100 V, ID 67 A, PG-TO252-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 67 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPD12CN10NGATMA1
a partir de € 1,362*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi FDG6303N, VDSS 25 V, ID 500 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado (3 ofertas) 
MOSFET doble para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fa...
onsemi
FDG6303N
a partir de € 0,54*
por 5 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPD30N06S223ATMA2, VDSS 55 V, ID 30 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 55 V Serie = OptiMOS™ Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dre...
Infineon
IPD30N06S223ATMA2
a partir de € 0,775*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 160A Resistencia en estado de transferencia: 19mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 13...
IXYS
IXFX160N30T
a partir de € 12,75*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDG6304P MOSFET, DUAL P-CH, -25V, -0.41A, SC-70-6 (3 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 25 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 410 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
onsemi
FDG6304P
a partir de € 0,161*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD14N06S280ATMA2, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
La gama Infineon de productos OptiMOS está disponible en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios l...
Infineon
IPD14N06S280ATMA2
a partir de € 0,36*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 37,5A; 450W; MAX247 (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: THT Carcasa: MAX247 Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 37,5A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
ST Microelectronics
STY60NK30Z
a partir de € 4,95*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD30N12S3L31ATMA1, VDSS 120 V, ID 30 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 120 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número de...
Infineon
IPD30N12S3L31ATMA1
a partir de € 0,686*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPD25DP06NM transistore 60 V (1 oferta)
Infineon
IPD25DP06NMATMA1
a partir de € 5,34*
por 10 unidades
 
 envase
ONSEMI FDH45N50F-F133 MOSFET, N-CH, 500V, 45A, 150DEG C, 625W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.105 ohm Gama de Producto UniFET FRFET Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Ca...
onsemi
FDH45N50F-F133
a partir de € 3,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPBE65R050CFD7AATMA1, VDSS 650 V, ID 211 A, PG-TO263 (2 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 211 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPBE65R050CFD7AATMA1
a partir de € 6,053*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2,5W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 30V Corriente del drenaje: 11A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2,5W Polarización: unipolar Clase de ...
Infineon
IRF7807ZTRPBF
a partir de € 886,76*
por 4.000 unidades
 
 envase
MOSFET Infineon IPD25DP06NMATMA1, VDSS -60 V, ID -6.5 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = -6.5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = -60 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Infineon
IPD25DP06NMATMA1
€ 0,359*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 400W; TO247-3; 420ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 420ns Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transisto...
IXYS
IXTH38N30L2
a partir de € 9,00*
por unidad
 
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