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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 86A Resistencia en estado de transferencia: 46mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 860W...
IXYS
IXFH86N30T
a partir de € 6,43*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDC653N MOSFET, N, SMD, SUPERSOT-6 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.035 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...
onsemi
FDC653N
a partir de € 0,274*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD028N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 139 A, PG-TO252-3 de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 139 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo ...
Infineon
IPD028N06NF2SATMA1
a partir de € 0,773*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI FDC6330L IC, MOSFET, DUAL NP, SUPERSOT-6-6, REEL (1 oferta) 
Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Encapsulado de Interruptor de Distribución SSOT Número de Pines 6 Pines Resistencia en Estado Conductor 0.08 ohm Encaps...
onsemi
FDC6330L
a partir de € 0,209*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPB65R310CFDA transistore 650 V (1 oferta)
Infineon
IPB65R310CFDAATMA1
€ 1.482,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
ONSEMI FDC655BN MOSFET, N CH, 30V, 6.3A, 6-SSOT, RL (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.021 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...
onsemi
FDC655BN
a partir de € 0,12*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 81A; 63W; DPAK (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: SMD Carcasa: DPAK Tensión drenaje-fuente: 25V Corriente del drenaje: 81A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 63W Polarización: unipolar Clase de ...
Infineon
IRLR8256TRPBF
a partir de € 627,18*
por 2.000 unidades
 
 envase
ONSEMI FDC638APZ MOSFET, P, SMD, SSOT-6, ROLLO COMPLETO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 12 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.037 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...
onsemi
FDC638APZ
a partir de € 0,163*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD135N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 45 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 45 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Serie = OptiMOS™ 3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima D...
Infineon
IPD135N08N3GATMA1
a partir de € 0,632*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD036N04LGATMA1, ID 90 A, PG-TO252-3 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tipo de Encapsulado = PG-TO252-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPD036N04LGATMA1
a partir de € 0,844*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI FDC6420C MOSFET, NP-CH, 20V, 6-SSOT, RL (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Dr...
onsemi
FDC6420C
a partir de € 0,19*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPB70N10S3-12 transistore 100 V (1 oferta)
Infineon
IPB70N10S312ATMA1
€ 1.300,00*
por 1.000 unidades
 
 envase
ONSEMI FDC658AP MOSFET, P, SMD, SSOT-6 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.044 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor M...
onsemi
FDC658AP
a partir de € 0,262*
por unidad
 
 unidades
Infineon IPD046N08N5 transistore 80 V (2 ofertas)
Infineon
IPD046N08N5ATMA1
a partir de € 1,04*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 1A; 125W; TO247-3; 2,3us (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 2,3µs Tensión drenaje-fuente: 2kV Corriente del drenaje: 1A Resistencia en estado de transferencia: 40Ω Tipo de transistor: ...
IXYS
IXTH1N200P3
a partir de € 4,67*
por unidad
 
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