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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.042 artículos)

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MOSFET Infineon IPD079N06L3GATMA1, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Mo...
Infineon
IPD079N06L3GATMA1
€ 0,428*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD25DP06LMATMA1, VDSS 60 V, ID 6,5 A, TO-252 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Número de...
Infineon
IPD25DP06LMATMA1
a partir de € 0,59*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI FDD4685 MOSFET, P, SMD, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.023 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
onsemi
FDD4685
a partir de € 0,705*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2kV; 3A; 520W; TO247HV; 420ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247HV Tiempo de disponibilidad: 420ns Tensión drenaje-fuente: 2kV Corriente del drenaje: 3A Resistencia en estado de transferencia: 5Ω Tipo de transistor: N...
IXYS
IXTH3N200P3HV
a partir de € 21,14*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD096N08N3GATMA1, VDSS 80 V, ID 73 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 73 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
Infineon
IPD096N08N3GATMA1
a partir de € 0,789*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI FDD86113LZ MOSFET, CANAL N, 5.5A, 100V, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.087 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pin...
onsemi
FDD86113LZ
a partir de € 0,448*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD25N06S4L30ATMA2, VDSS 60 V, ID 25 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 25 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = DPAK (TO-252) Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Res...
Infineon
IPD25N06S4L30ATMA2
a partir de € 0,414*
por unidad
 
 unidades
ONSEMI FDD86252 MOSFET, CANAL N, 150V, 27A, 89W, TO-252 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.041 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pin...
onsemi
FDD86252
a partir de € 0,517*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 108A; 520W; ISOPLUS264™ (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: ISOPLUS264™ Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 108A Resistencia en estado de transferencia: 16mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado:...
IXYS
IXFL210N30P3
a partir de € 22,97*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDD86369-F085 MOSFET, N-CH, 80V, 90A, 175DEG C, 150W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0059 ohm Gama de Producto PowerTrench Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal...
onsemi
FDD86369-F085
a partir de € 0,583*
por unidad
 
 unidad
ONSEMI FDD86367-F085 MOSFET AEC-Q101 CANAL N, 80V, 100A, 227W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0033 ohm Gama de Producto PowerTrench Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pi...
onsemi
FDD86367-F085
a partir de € 0,764*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPD100N06S403ATMA2, VDSS 60 V, ID 100 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = OptiMOS™ -T2 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxim...
Infineon
IPD100N06S403ATMA2
a partir de € 1,275*
por unidad
 
 unidades
MOSFET Infineon IPD30N03S2L20ATMA1, VDSS 30 V, ID 30 A, PG-TDSON-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PG-TDSON-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPD30N03S2L20ATMA1
a partir de € 0,446*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 120A; 960W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 300V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 24mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 960W ...
IXYS
IXFK120N30T
a partir de € 9,91*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPB80P04P4L06ATMA2, VDSS 40 V, ID 80 A, PG-TO263-3-2 (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 80 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3-2 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPB80P04P4L06ATMA2
€ 1.060,00*
por 1.000 unidades
 
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