MOSFET | MERCATEO (Página 968/1.679)

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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO263; 48ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 48ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 270A Resistencia en estado de transferencia: 2,2mΩ Tipo de transistor:...

IXYS

IXTA270N04T4

a partir de € 2,27*
por unidad

ROHM RQ5E040RPTL MOSFET, CANAL P, -4A, -30V, SOT-346T (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.032 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

ROHM Semiconductor

RQ5E040RPTL

a partir de € 0,193*
por unidad

MOSFET ROHM RF4L070BGTCR, VDSS 60 V, ID 7 A, HUML2020L8 (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = HUML2020L8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

ROHM Semiconductor

RF4L070BGTCR

a partir de € 0,279*
por unidad

MOSFET Infineon IPP80R280P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = CoolMOS™ P7 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenci...

Infineon

IPP80R280P7XKSA1

a partir de € 1,216*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; Idm: 100A; 60W; TO220-3 (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 13,7mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 6...

onsemi

FDP8447L

a partir de € 0,67*
por unidad

ROHM RQ5E065AJTCL MOSFET, CANAL N, 6.5A, 30V, SOT-346T (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0137 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Monta...

ROHM Semiconductor

RQ5E065AJTCL

a partir de € 0,217*
por unidad

MOSFET Infineon IPP60R600P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 6 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Re...

Infineon

IPP60R600P7XKSA1

a partir de € 1,006*
por unidad

MOSFET ROHM RH6G040BGTB1, VDSS 40 V, ID 95 A, HSMT8 (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 95 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = HSMT8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

ROHM Semiconductor

RH6G040BGTB1

a partir de € 0,691*
por unidad

Infineon IPP60R120C7 transistore 600 V (1 oferta)

Infineon

IPP60R120C7XKSA1

a partir de € 2,802*
por unidad

Infineon IRF2804L transistore 30 V (1 oferta)

Infineon

IRF2804LPBF

a partir de € 1,55*
por unidad

ROHM RQ5H020TNTL MOSFET, CANAL N, 2A, 45V, SOT-346T (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.13 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

ROHM Semiconductor

RQ5H020TNTL

a partir de € 0,284*
por unidad

Infineon IPP80N06S2-09 transistore 60 V (1 oferta)

Infineon

IPP80N06S209AKSA2

a partir de € 1,143*
por unidad

Infineon IPB020N04N G transistore 100 V (1 oferta)

Infineon

IPB020N04NGATMA1

a partir de € 0,91*
por unidad

MOSFET ROHM RH6P040BHTB1, VDSS 100 V, ID 40 A, HSMT8 (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = HSMT8 Tipo de Montaje = Montaje superficial

ROHM Semiconductor

RH6P040BHTB1

a partir de € 0,643*
por unidad

MOSFET Infineon IPP80R450P7XKSA1, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Serie = CoolMOS™ P7 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistenci...

Infineon

IPP80R450P7XKSA1

a partir de € 1,275*
por unidad

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