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  MOSFET  (25.176 ofertas entre 5.834.145 artículos)

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MOSFET Infineon IPP040N08NF2SAKMA1, VDSS 80 V, ID 22 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
El Infineon IPP040N08NF2S es el MOSFET de alimentación de canal N. La tensión de la fuente de drenaje de este mosfet es de 80 V. Es compatible con una amplia variedad de aplicaciones y la configura...
Infineon
IPP040N08NF2SAKMA1
a partir de € 0,842*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM RD3P07BBHTL1, VDSS 6 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 6 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Can...
ROHM Semiconductor
RD3P07BBHTL1
a partir de € 1,278*
por unidad
 
 unidad
Infineon IPP60R120P7 transistore 600 V (1 oferta)
Infineon
IPP60R120P7XKSA1
a partir de € 1,845*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6,3A; Idm: 40A; 125W; TO220 (1 oferta) 
Attention! This product is sold up to the quantity available in stock. In case of larger orders, the amount will be replaced by the available quantity. Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carc...
NTE Electronics
NTE2397
a partir de € 4,45*
por unidad
 
 unidad
ROHM R8008ANJFRGTL MOSFET AECQ101 CANAL N 800V 8A TO-263S (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.79 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...
ROHM Semiconductor
R8008ANJFRGTL
a partir de € 2,20*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP60R360P7XKSA1, VDSS 600 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = CoolMOS™ P7 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia...
Infineon
IPP60R360P7XKSA1
a partir de € 1,033*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; 480W; TO247-3; 53ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 53ns Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 300A Resistencia en estado de transferencia: 2,5mΩ Tipo de transisto...
IXYS
IXTH300N04T2
a partir de € 4,15*
por unidad
 
 unidad
ROHM RD3P100SNFRATL MOSFET, CANAL N, 100V, 10A, 150°C, 20W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.095 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Co...
ROHM Semiconductor
RD3P100SNFRATL
a partir de € 0,482*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP60R022S7XKSA1, VDSS 600 V, ID 23 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 23 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Serie = IPP60R Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Resistencia Máx...
Infineon
IPP60R022S7XKSA1
a partir de € 7,96*
por unidad
 
 unidad
ROHM RAL035P01TCR MOSFET, CANAL P, -12V, -3.5A, TUMT-6 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.03 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje...
ROHM Semiconductor
RAL035P01TCR
a partir de € 0,17*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP051N15N5AKSA1, VDSS 150 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines (1 oferta) 
Este MOSFET Infineon OptiMOS ofrece el R DS(on) de vanguardia de un MOSFET Trench junto con el amplio área de funcionamiento seguro de un MOSFET planar clásico.Es ideal para aplicaciones de interca...
Infineon
IPP051N15N5AKSA1
a partir de € 3,303*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 150A; Idm: 1301A; 338W (1 oferta) 
Fabricante: NEXPERIA Montaje: THT Carcasa: TO220AB;SOT78 Tensión drenaje-fuente: 40V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 2,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Nexperia
PSMN1R5-40PS,127
a partir de € 2,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM RD3P130SPFRATL, VDSS 100 V, ID 13 A, DPAK (TO-252) de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = RD3 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Drenado...
ROHM Semiconductor
RD3P130SPFRATL
a partir de € 0,742*
por unidad
 
 unidad
ROHM RCJ700N20TL MOSFET, CANAL N, 200V, 70A, 150°C, 297W (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0305 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...
ROHM Semiconductor
RCJ700N20TL
a partir de € 2,27*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IPP65R041CFD7XKSA1, VDSS 700 V, ID 211 A, PG-TO220-3 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 211 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 700 V Tipo de Encapsulado = PG-TO220-3 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IPP65R041CFD7XKSA1
a partir de € 5,772*
por unidad
 
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