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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SIRA90DP-T1-RE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRA90DP-T1-RE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: PowerPAK® SO8
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 100A
Resistencia en estado de transferencia: 1,15mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 66,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 153nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -16...20V
Corriente del drenaje en impulso: 400A
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