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MOSFET Infineon IPB036N12N3GATMA1, VDSS 120 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7545428
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB036N12N3GATMA1
EAN/GTIN:
     5059043805672
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
120 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK-7
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
3,6 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
300 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.31mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, 7545428, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPB036N12N3GATMA1
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Accesorios
Fischer Elektronik
FK 244 13 D2 PAK
a partir de € 0,74*
Accesorios
Infineon
IR2113SPBF
a partir de € 2,04*
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