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INFINEON IPB036N12N3GATMA1 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia


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N.º art.:
     6368-2212819
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB036N12N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0029 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 7 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 180 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 120 V Disipación de Potencia 300 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, IPB036N12N3GATMA1, 2212819, 221-2819
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
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Accesorios
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FK 244 13 D2 PAK
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Accesorios
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IR2113SPBF
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