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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 180A; 300W; PG-TO263-3
N.º art.:
     6Q9VB-IPB036N12N3GATMA1
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPB036N12N3GATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-TO263-3
Tensión drenaje-fuente: 120V
Corriente del drenaje: 180A
Resistencia en estado de transferencia: 3,6mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 300W
Polarización: unipolar
Tecnología: OptiMOS™ 3
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
Imagen
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Fabricante/N.º
Precio
Accesorios
Disipador Fischer Elektronik Plateado, 22.8K/W, dim. 26 x 13 x 10mm
Fischer Elektronik
FK 244 13 D2 PAK
a partir de € 0,74*
Accesorios
Driver de puerta MOSFET IR2113SPBF, 2,5 A SOIC W 16 pines
Infineon
IR2113SPBF
a partir de € 2,04*
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