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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2,5W; SO8


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2,5W; SO8
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2,5W; SO8
N.º art.:
     6Q9VB-FDS6681Z
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDS6681Z
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: ONSEMI
Montaje: SMD
Carcasa: SO8
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -20A
Resistencia en estado de transferencia: 6,5mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 2,5W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 260nC
Tecnología: PowerTrench®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia
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