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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

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MOSFET ROHM SCT4045DRHRC15, VDSS 750 V, ID 34 A, TO-247-4L (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 34 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 750 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4045DRHRC15
a partir de € 8,72*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF6668TRPBF, VDSS 80 V, ID 55 A, DirectFET ISOMETRIC de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET Infineon HEXFET® Power tiene una tensión de fuente de drenaje máxima 80V en un encapsulado DirectFET MZ con un valor nominal de 55 amperios optimizado con baja resistencia de conexión. El...
Infineon
IRF6668TRPBF
a partir de € 1,098*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 57A; Idm: 228A; 570W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 57A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT50M75LFLLG
a partir de € 20,45*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS L6387ED013TR CONTROLADOR MOSFET, -45 A 125°C (2 ofertas) 
Corriente de Suministro 400 mA Tipo de Interruptor de Potencia MOSFET Gama de Producto - Tipo de Entrada Inversión Tensión de Alimentación Máx. 17 V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 3 -...
ST Microelectronics
L6387ED013TR
a partir de € 1,12*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF100P218AKMA1, VDSS 100 V, PG-TO247 (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO247 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRF100P218AKMA1
a partir de € 6,148*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8,5A; 250W; TO220 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 8,5A Resistencia en estado de transferencia: 510mΩ Tipo de transistor: N-MOSF...
Alpha & Omega Semiconductor
AOT13N50
a partir de € 0,86*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SCT4062KEHRC11, VDSS 1.200 V, ID 26 A, TO-247N (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4062KEHRC11
a partir de € 7,319*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8,5A; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 8,5A Resistencia en estado de transferencia: 510mΩ Tipo de transistor: N-MOS...
Alpha & Omega Semiconductor
AOTF13N50
a partir de € 0,74*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SCT4062KRHRC15, VDSS 1.200 V, ID 26 A, TO-247-4L (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 26 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Tipo de Encapsulado = TO-247-4L Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
ROHM Semiconductor
SCT4062KRHRC15
a partir de € 8,31*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF6717MTRPBF, VDSS 25 V, ID 38 A, MG-WDSON-5 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 38 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = MG-WDSON-5 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRF6717MTRPBF
a partir de € 1,713*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,9A; Idm: 46A; 165W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 6,9A Resistencia en estado de transferencia: 0,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 165...
onsemi
FDB12N50FTM-WS
a partir de € 0,97*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS L6494LDTR CONTROL MOSFET/IGBT LADO ALTO/BAJO, SOIC (1 oferta) 
Corriente de Suministro 2 A Tipo de Interruptor de Potencia IGBT, MOSFET Gama de Producto - Tipo de Entrada - Tensión de Alimentación Máx. 20 V Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 3 - 168 ...
ST Microelectronics
L6494LDTR
a partir de € 0,967*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF100P219AKMA1, VDSS 100 V, ID 316 A, PG-TO 247 (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 316 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = PG-TO 247 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRF100P219AKMA1
a partir de € 5,257*
por unidad
 
 unidad
ROHM SH8J65TB1 MOSFET, DOBLE CANAL P, 30V, 7A, 150°C 2W (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 7 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds...
ROHM Semiconductor
SH8J65TB1
a partir de € 0,687*
por unidad
 
 unidad
Infineon IRF3205ZL transistore 30 V (2 ofertas)
Infineon
IRF3205ZLPBF
a partir de € 0,807*
por unidad
 
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