MOSFET | MERCATEO (Página 1.039/1.679)

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MOSFET Infineon IRF7503TRPBF, VDSS 30 V, ID 2,4 A, SOIC de 8 pines, 2elementos (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora ...

Infineon

IRF7503TRPBF

a partir de € 0,164*
por unidad

MOSFET Infineon IRFH5215TRPBF, VDSS 150 V, ID 27 A, PQFN (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 27 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PQFN Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IRFH5215TRPBF

a partir de € 1,238*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7351TRPBF, VDSS 60 V, ID 64 A, SO de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 64 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora N...

Infineon

IRF7351TRPBF

€ 0,586*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7470TRPBF, VDSS 40 V, ID 10 A, SO-8 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Infineon

IRF7470TRPBF

a partir de € 0,592*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO263; 60ns (1 oferta)

Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 60ns Tensión drenaje-fuente: 55V Corriente del drenaje: 260A Resistencia en estado de transferencia: 3,3mΩ Tipo de transistor:...

IXYS

IXTA260N055T2

a partir de € 2,71*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7779L2TRPBF, VDSS 150 V, ID 67 A, DirectFET2, lata grande de 15 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 67 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 15 Número de Elementos po...

Infineon

IRF7779L2TRPBF

a partir de € 3,47*
por unidad

STMICROELECTRONICS STP40N60M2 MOSFET, CANAL N, 600V, 34A, TO-220-3 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.088 ohm Gama de Producto MDmesh M2 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...

ST Microelectronics

STP40N60M2

a partir de € 3,58*
por unidad

MOSFET Infineon IRFH5301TRPBF, VDSS 30 V, ID 100 A, PQFN (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 100 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PQFN Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

IRFH5301TRPBF

a partir de € 0,401*
por unidad

STMICROELECTRONICS STP45N10F7 MOSFET, CANAL N, 100V, 45A, TO-220AB (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0145 ohm Gama de Producto STripFET F7 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pi...

ST Microelectronics

STP45N10F7

a partir de € 0,873*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7480MTRPBF, VDSS 40 V, ID 217 A, FET directo ME (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 217 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = FET directo ME Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Infineon

IRF7480MTRPBF

a partir de € 1,224*
por unidad

MOSFET STMicroelectronics STP80N600K6, VDSS 7 A, ID 7 A, TO-220 de 3 pines, 4elementos (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 7 A Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo...

ST Microelectronics

STP80N600K6

a partir de € 1,004*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7820TRPBF, VDSS 200 V, ID 3,7 A, SO-8 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Infineon

IRF7820TRPBF

a partir de € 0,62*
por unidad

MOSFET Infineon IRFH5406TRPBF, VDSS 60 V, ID 40 A, PQFN 5 mm x 6 mm (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = PQFN 5 mm x 6 mm Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Infineon

IRFH5406TRPBF

a partir de € 0,60*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 74A; Idm: 420A; 158W (1 oferta)

Fabricante: NEXPERIA Montaje: SMD Carcasa: D2PAK;SOT404 Tensión drenaje-fuente: 55V Corriente del drenaje: 74A Resistencia en estado de transferencia: 14,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Uso: rama ...

Nexperia

BUK6607-55C,118

a partir de € 0,82*
por unidad

MOSFET Infineon IRF7606TRPBF, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOIC de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora ...

Infineon

IRF7606TRPBF

a partir de € 0,273*
por unidad

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