Categorías
España
Español
Mi Mercateo
Iniciar sesión/Registrarse		Cesta
 		 
 >  >  >  >  > MOSFET

  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.057 artículos)

Los filtros siguientes ayudan a reafinar la lista de artículos para la búsqueda "MOSFET" según sus necesidades:
Filtrar: Precio desdehasta€  Palabra 
Propiedades
☐
Vista general

"MOSFET"

Términos genéricos
Visualización
☐
☐
☐
☐
Imagen
Artículo ^v
Fabricante/N.º ^v
Precio ^v
Realizar un pedido
atrás
STMICROELECTRONICS STB18NF25 MOSFET AEC-Q101 CANAL N 250V 17A 110W (2 ofertas) 
Corriente de Drenaje Continua Id 17 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 250 V Disipación de Potencia 110 W Calificaci...
ST Microelectronics
STB18NF25
a partir de € 0,856*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF150P220AKMA1, VDSS 150 V, PG-TO247 (1 oferta) 
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 150 V Tipo de Encapsulado = PG-TO247 Tipo de Montaje = Montaje superficial
Infineon
IRF150P220AKMA1
a partir de € 7,92*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SP8M4HZGTB, VDSS 30 V, ID 7 A, 9 A., SOP de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
MOSFET Rohm de grado de automoción SP8M4HZG n con certificación EC-Q101. Los MOSFET NCH+PCH 30V con diodo de protección ESD se incluyen en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutació...
ROHM Semiconductor
SP8M4HZGTB
a partir de € 0,918*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6,3A; Idm: 40A; 125W; D2PAK (1 oferta) 
Fabricante: STMicroelectronics Montaje: SMD Carcasa: D2PAK Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 6,3A Resistencia en estado de transferencia: 0,52Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...
ST Microelectronics
STB11NK50ZT4
a partir de € 0,99*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB20N95K5 MOSFET CANAL P, 950V/17.5A, 250W, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.275 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines...
ST Microelectronics
STB20N95K5
a partir de € 4,74*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF7606TRPBF, VDSS 30 V, ID 3,6 A, SOIC de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora ...
Infineon
IRF7606TRPBF
a partir de € 0,241*
por unidad
 
 unidades
MOSFET ROHM SP8M51HZGTB, VDSS 100 V, ID 2,5 A, 3 A, SOP de 8 pines (2 ofertas) 
La alimentación Rohm SP8M51HZG dual (NCH+PCH) no se ajusta correctamente para la fuente de alimentación de conmutación.Baja resistencia Encapsulado pequeño para montaje superficial (SOP8) Chapado d...
ROHM Semiconductor
SP8M51HZGTB
a partir de € 0,613*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB25N80K5 MOSFET, CANAL N, 800V, 19.5A, 150°C (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.19 ohm Gama de Producto MDmesh K5 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines ...
ST Microelectronics
STB25N80K5
a partir de € 3,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF200B211, VDSS 200 V, ID 12 A, TO-220 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRF200B211
a partir de € 0,713*
por unidad
 
 unidades
ROHM TT8K2TR MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, TSST (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión ...
ROHM Semiconductor
TT8K2TR
a partir de € 0,248*
por unidad
 
 unidad
Infineon IRF6674 transistore 25 V (2 ofertas)
Infineon
IRF6674TRPBF
a partir de € 5.511,648*
por 4.800 unidades
 
 envase
MOSFET Vishay IRFIB7N50APBF, VDSS 500 V, ID 6,6 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas) 
MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor
Vishay
IRFIB7N50APBF
a partir de € 0,83*
por unidad
 
 unidad
STMICROELECTRONICS STB30N65DM6AG MOSFET, CANAL N, 650V, 28A, TO-263 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.102 ohm Gama de Producto MDmesh DM6 Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pine...
ST Microelectronics
STB30N65DM6AG
a partir de € 2,85*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF7769L1TRPBF, VDSS 100 V, ID 124 A, FET directo, lata grande (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 124 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = FET directo, lata grande Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRF7769L1TRPBF
a partir de € 2,961*
por unidad
 
 unidad
ROHM UM6J1NTN MOSFET, DOBLE CANAL P, -30V, SOT-363 (2 ofertas) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 200 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...
ROHM Semiconductor
UM6J1NTN
a partir de € 0,11*
por unidad
 
 unidad
siguiente
Artículo por página: 10   15   20   50   100    Página: atrás   1   ..   1031   1032   1033   1034   1035   1036   1037   1038   1039   1040   1041   ..   1692   siguiente

Búsqueda similar: FACT®Finder de Omikron
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.