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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

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MOSFET ROHM SH8KA4TB1, VDSS 30 V, ID 9 A, SOP de 8 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
ROHM Semiconductor
SH8KA4TB1
a partir de € 0,297*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF3710STRLPBF, VDSS 100 V, ID 57 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 57 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = HEXFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Resistencia Máxima Dren...
Infineon
IRF3710STRLPBF
a partir de € 1,117*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 46A; Idm: 184A; 520W; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 46A Resistencia en estado de transferencia: 0,1Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT5010LFLLG
a partir de € 16,54*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH35N65G2V-7, VDSS 650 V, ID 45 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 45A y resistencia de drenaje a fuente de 55m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por áre...
ST Microelectronics
SCTH35N65G2V-7
a partir de € 8,67*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 52A; 48W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,54Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 48...
onsemi
FQPF13N50CF
a partir de € 1,68*
por unidad
 
 unidad
MOSFET ROHM SH8KC7TB1, VDSS 60 V, ID 10,5 A, SOP de 8 pines, 2elementos (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10,5 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = SOP Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia...
ROHM Semiconductor
SH8KC7TB1
a partir de € 0,583*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF7328TRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRF7328TRPBF
a partir de € 0,684*
por unidad
 
 unidades
MOSFET STMicroelectronics SCTH40N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 33 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 33 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH40N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
ST Microelectronics
SCTH40N120G2V-7
a partir de € 11,989*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; Idm: 32A; 40W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: TOSHIBA Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 8A Resistencia en estado de transferencia: 0,85Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 4...
Toshiba
TK8A50D(STA4,Q,M)
a partir de € 0,78*
por unidad
 
 unidad
ROHM SH8M24GZETB MOSFET, CANAL N Y P, 45V, SOP (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 45 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 6 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dr...
ROHM Semiconductor
SH8M24GZETB
a partir de € 0,44*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF3805STRLPBF, VDSS 55 V, ID 210 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines (1 oferta) 
El MOSFET Infineon HEXFET® Power utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión extremadamente baja por área de silicio. Las características adicionales de es...
Infineon
IRF3805STRLPBF
a partir de € 2,097*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 47A; Idm: 230A; 1,04kW; TO264 (1 oferta) 
Fabricante: MICROCHIP (MICROSEMI) Montaje: THT Carcasa: TO264 Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 47A Resistencia en estado de transferencia: 75mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
MICROCHIP (MICROSEMI)
APT75M50L
a partir de € 14,39*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics SCTH70N120G2V-7, VDSS 1.200 V, ID 90 A, H2PAK-7 de 7 pines (3 ofertas) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 90 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 1.200 V Serie = SCTH70N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 0...
ST Microelectronics
SCTH70N120G2V-7
a partir de € 31,36*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Infineon IRF7328TRPBF, VDSS 30 V, ID 8 A, SO-8 (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Infineon
IRF7328TRPBF
€ 0,59*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9,6A; Idm: 64A; 38,5W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: ONSEMI Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 500V Corriente del drenaje: 9,6A Resistencia en estado de transferencia: 0,38Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: ...
onsemi
FDPF16N50
a partir de € 1,45*
por unidad
 
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