MOSFET | MERCATEO (Página 1.121/1.692)

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MOSFET Nexperia BUK7S2R0-40HJ, VDSS 40 V, ID 190 A, LFPAK88 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 190 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Tipo de Encapsulado = LFPAK88 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Número d...

Nexperia

BUK7S2R0-40HJ

€ 2.620,00*
por 2.000 unidades

TOSHIBA TK8A60W,S4VX(M MOSFET, CANAL N, 600V, 8A, TO-220SIS (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.42 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corrie...

Toshiba

TK8A60W,S4VX(M

a partir de € 1,014*
por unidad

MOSFET Microchip VN0106N3-G, VDSS 60 V, TO-92 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Microchip Technology

VN0106N3-G

a partir de € 0,40*
por unidad

MOSFET Infineon SPP11N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 11 A, PG-TO220 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TO220 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

SPP11N60C3XKSA1

a partir de € 2,456*
por unidad

TOSHIBA TK8P25DA,RQ(S2 MOSFET, CANAL N, 250V, 7.5A, TO-252 (1 oferta)

Corriente de Drenaje Continua Id 7.5 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-252 (DPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 250 V Disipación de Potencia 55 W Calificació...

Toshiba

TK8P25DA,RQ(S2

a partir de € 0,251*
por unidad

MOSFET Microchip TN0610N3-G, VDSS 100 V, TO-92 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Microchip Technology

TN0610N3-G

a partir de € 0,856*
por unidad

TOSHIBA TK8P60W5,RVQ(S MOSFET, CANAL N, 600V, 8A, TO-252 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.44 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Cor...

Toshiba

TK8P60W5,RVQ(S

a partir de € 0,568*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8,1A; 66W; PG-TO220-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 600V Corriente del drenaje: 8,1A Resistencia en estado de transferencia: 0,52Ω Tipo de transistor: N-MOSFE...

Infineon

IPP60R520C6XKSA1

a partir de € 0,69*
por unidad

VISHAY IRFBF20SPBF MOSFET, N-CH, 900V, 1.7A, TO-263 (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 8 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de ...

Vishay

IRFBF20SPBF

a partir de € 0,65*
por unidad

MOSFET Infineon SPP20N60C3XKSA1, VDSS 650 V, ID 20,7 A, PG-TO220 (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PG-TO220 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Infineon

SPP20N60C3XKSA1

a partir de € 3,703*
por unidad

TOSHIBA TK8R2A06PL,S4X(S MOSFET, N-CH, 60V, 50A, TO-220 (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0061 ohm Gama de Producto - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corr...

Toshiba

TK8R2A06PL,S4X(S

a partir de € 0,462*
por unidad

MOSFET Microchip TN2130K1-G, VDSS 300 V, SOT-23 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 300 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Microchip Technology

TN2130K1-G

a partir de € 0,307*
por unidad

MOSFET Vishay IRFBF30PBF, VDSS 900 V, ID 3,6 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N, de 600 V a 1000 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRFBF30PBF

a partir de € 0,84*
por unidad

MOSFET Nexperia BUK9K13-60RAX, VDSS 60 V, ID 40 A, LFPAK56D de 8 pines, 2elementos (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = LFPAK56D Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Número d...

Nexperia

BUK9K13-60RAX

a partir de € 0,761*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0,17A; 150mW; SC75 (1 oferta)

Fabricante: TOSHIBA Montaje: SMD Carcasa: SC75 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 0,17A Resistencia en estado de transferencia: 4,7Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 0,1...

Toshiba

SSM3K72CFS,LF(T

a partir de € 0,142*
por 5 unidades

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