MOSFET | MERCATEO (Página 1.122/1.673)

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VISHAY SIHFU9220-GE3 MOSFET, CANAL P, 200V, 3.6A, TO-251 (1 oferta)

Corriente de Drenaje Continua Id 3.6 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-251 (IPAK) Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200 V Disipación de Potencia 42 W Calificació...

Vishay

SIHFU9220-GE3

a partir de € 0,346*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; 11,5W; TO220F (1 oferta)

Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 16A Resistencia en estado de transferencia: 19mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...

Alpha & Omega Semiconductor

AOTF2618L

a partir de € 0,98*
por unidad

MOSFET Vishay SIHA125N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 11 A, TO-220 FP de 3 pines (3 ofertas)

El Vishay serie EF MOSFET de potencia con diodo de cuerpo rápido tiene una tecnología de la serie E de 4th generación. Ha reducido las pérdidas de conducción y conmutación.Valor nominal de energía ...

Vishay

SIHA125N60EF-GE3

a partir de € 2,021*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,24A; Idm: 11,2A; 2,1W; SOT223 (1 oferta)

Fabricante: ONSEMI Montaje: SMD Carcasa: SOT223 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 2,24A Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 2...

onsemi

FQT13N06LTF

a partir de € 0,279*
por unidad

MOSFET Vishay SIHG026N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 95 A, TO-247AC (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 95 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Vishay

SIHG026N60EF-GE3

a partir de € 9,14*
por unidad

MOSFET Nexperia PXN4R7-30QLJ, VDSS 30 V, ID 15 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 15 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXN4R7-30QLJ

€ 0,228*
por unidad

MOSFET Vishay IRLL014TRPBF (2 ofertas)

MOSFET

Vishay

IRLL014TRPBF

a partir de € 0,18*
por unidad

VISHAY SIHA12N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 10.5A, TO-220FP (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.33 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N...

Vishay

SIHA12N50E-GE3

a partir de € 0,878*
por unidad

MOSFET Nexperia PMV50XNEAR, VDSS 30 V, ID 3,4 A, SOT-23 de 3 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 3,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SOT-23 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3

Nexperia

PMV50XNEAR

a partir de € 0,15*
por unidad

MOSFET Vishay SIHG039N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 61 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 61 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...

Vishay

SIHG039N60EF-GE3

a partir de € 6,00*
por unidad

MOSFET Microchip TN0606N3-G, VDSS 60 V, TO-92 (1 oferta)

Tipo de Canal = N Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = TO-92 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante

Microchip Technology

TN0606N3-G

a partir de € 0,709*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0,8A; 470mW; SOT323 (1 oferta)

Fabricante: DIODES INCORPORATED Montaje: SMD Carcasa: SOT323 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 0,18A Resistencia en estado de transferencia: 7,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...

Diodes

DMN67D8LW-7

a partir de € 0,49*
por 20 unidades

VISHAY SIHA15N50E-GE3 MOSFET, CANAL N, 500V, 14.5A, 150°C, 33W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.243 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...

Vishay

SIHA15N50E-GE3

a partir de € 0,837*
por unidad

VISHAY SIHG125N60EF-GE3 MOSFET, N CH, 600V, 25A, TO-247AC (2 ofertas)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.109 ohm Gama de Producto EF Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaj...

Vishay

SIHG125N60EF-GE3

a partir de € 2,21*
por unidad

MOSFET Nexperia PXN6R2-25QLJ, VDSS 25 V, ID 13,1 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13,1 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXN6R2-25QLJ

a partir de € 0,266*
por unidad

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