MOSFET | MERCATEO (Página 1.131/1.679)

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MOSFET Nexperia PXN9R0-30QLJ, VDSS 30 V, ID 11,4 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 11,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXN9R0-30QLJ

a partir de € 0,192*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 1002A; 349W (1 oferta)

Fabricante: NEXPERIA Montaje: THT Carcasa: TO220AB;SOT78 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 2,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...

Nexperia

PSMN2R5-60PLQ

a partir de € 1,96*
por unidad

VISHAY SIA910EDJ-T1-GE3 MOSFET, DUAL N CH, 12V, 4.5A, POWERPAK (2 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 12 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión ...

Vishay

SIA910EDJ-T1-GE3

a partir de € 0,211*
por unidad

MOSFET Nexperia PXP6R7-30QLJ, VDSS 30 V, ID 20,7 A, MLPAK33 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP6R7-30QLJ

a partir de € 0,279*
por unidad

MOSFET Vishay SIDR610EP-T1-RE3, VDSS 200 V, ID 39,6 A, PowerPAK SO-8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 39,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 200 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SIDR610EP-T1-RE3

a partir de € 1,93*
por unidad

VISHAY SIA923EDJ-T1-GE3 MOSFET, DUAL/P-CH/20V/4.5A/POWERPAK SC70 (2 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 4.5 A Gama de Producto Trench Series Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Dr...

Vishay

SIA923EDJ-T1-GE3

a partir de € 1,17*
por 5 unidades

VISHAY SIHA15N65E-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 15A, 150°C, 34W (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje ...

Vishay

SIHA15N65E-GE3

a partir de € 1,59*
por unidad

MOSFET Nexperia PXP013-30QLJ, VDSS 30 V, ID 14,7 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 14,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP013-30QLJ

a partir de € 0,21*
por unidad

MOSFET Vishay SIA931DJ-T1-GE3 (2 ofertas)

MOSFET

Vishay

SIA931DJ-T1-GE3

a partir de € 0,645*
por 5 unidades

MOSFET Nexperia PXP9R1-30QLJ, VDSS 30 V, ID 17,7 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP9R1-30QLJ

€ 783,00*
por 3.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 200W; TO220-3 (1 oferta)

Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 200A Resistencia en estado de transferencia: 3,3mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...

Texas Instruments

CSD18542KCS

a partir de € 1,30*
por unidad

MOSFET Vishay SIHA15N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 6 A, TO-220 FP de 3 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 850 V Tipo de Encapsulado = TO-220 FP Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...

Vishay

SIHA15N80AEF-GE3

a partir de € 0,945*
por unidad

MOSFET onsemi FAM65CR51ADZ2, VDSS 650 V, ID 38 A, APMCD-A16 de 12 pines, 2elementos (1 oferta)

Corriente Máxima Continua de Drenaje = 38 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = FAM Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 12 Resistencia Máxima Drenador-Fuente ...

onsemi

FAM65CR51ADZ2

a partir de € 25,859*
por unidad

VISHAY SIA975DJ-T1-GE3 MOSFET, DUAL P CH, -12V, -4.5A, POWERPAK (2 ofertas)

Vishay

SIA975DJ-T1-GE3

a partir de € 0,209*
por unidad

MOSFET onsemi NDT451AN, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...

onsemi

NDT451AN

€ 1.708,00*
por 4.000 unidades

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