MOSFET | MERCATEO (Página 1.126/1.679)

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MOSFET onsemi FCH029N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247 de 3 pines (1 oferta)

on Semiconductor MOSFET es una nueva familia de MOSFET de unión de alta tensión de−−que utiliza tecnología de equilibrio de carga para ofrecer una resistencia de conexión baja excepcional y un rend...

onsemi

FCH029N65S3-F155

a partir de € 11,227*
por unidad

MOSFET Vishay SIA108DJ-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 6,6 A, PowerPAK SC-70 (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 80 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SC-70 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SIA108DJ-T1-GE3

a partir de € 1,32*
por 5 unidades

MOSFET Nexperia PXN010-30QLJ, VDSS 30 V, ID 10,3 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 10,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXN010-30QLJ

a partir de € 0,174*
por unidad

MOSFET Vishay SI8424CDB-T1-E1, VDSS 8 V, ID 6,3 A, WL-CSP (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 6,3 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 8 V Tipo de Encapsulado = WL-CSP Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SI8424CDB-T1-E1

a partir de € 0,202*
por unidad

MOSFET Vishay IRLD024PBF, VDSS 60 V, ID 2,5 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple (3 ofertas)

MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor

Vishay

IRLD024PBF

a partir de € 0,41*
por unidad

MOSFET Vishay SIA112LDJ-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 8,8 A, SC-70-6L de 7 pines (3 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8,8 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SC-70-6L Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Modo d...

Vishay

SIA112LDJ-T1-GE3

a partir de € 0,247*
por unidad

MOSFET Nexperia PXP6R1-30QLJ, VDSS 30 V, ID 22,2 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 22,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP6R1-30QLJ

€ 1.374,00*
por 3.000 unidades

Infineon IPB019N06L3 G transistore 30 V (1 oferta)

Infineon

IPB019N06L3GATMA1

a partir de € 1,49*
por unidad

VISHAY SI8425DB-T1-E1 MOSFET, P-CH, 20V, 9.3A, MICRO FOOT (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.018 ohm Gama de Producto TrenchFET Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal C...

Vishay

SI8425DB-T1-E1

a partir de € 0,22*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 2,4mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...

Infineon

IPP024N06N3GXKSA1

a partir de € 2,63*
por unidad

MOSFET Nexperia PXN017-30QLJ, VDSS 30 V, ID 7,9 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 7,9 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXN017-30QLJ

a partir de € 0,175*
por unidad

VISHAY SI8472DB-T2-E1 MOSFET, N-CH, 20V, 4.5A, MICRO FOOT (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.036 ohm Gama de Producto TrenchFET Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 4 Pine...

Vishay

SI8472DB-T2-E1

a partir de € 0,276*
por unidad

MOSFET Vishay SIA4263DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, PowerPAK SC-70 (3 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK SC-70 Tipo de Montaje = Montaje superficial

Vishay

SIA4263DJ-T1-GE3

a partir de € 0,134*
por unidad

MOSFET Nexperia PXP8R3-20QXJ, VDSS 20 V, ID 20,2 A, MLPAK33 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXP8R3-20QXJ

a partir de € 0,232*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 338W; SOT78,TO220AB (1 oferta)

Fabricante: NEXPERIA Montaje: THT Carcasa: TO220AB;SOT78 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 5,1mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...

Nexperia

PSMN2R0-60PS,127

a partir de € 2,62*
por unidad

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