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  MOSFET  (25.181 ofertas entre 5.804.574 artículos)

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VISHAY SIHP12N65E-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 12A, TO-220AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.33 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N...
Vishay
SIHP12N65E-GE3
a partir de € 0,949*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHU7N60E-GE3 MOSFET, N-CH, 600V, 7A, IPAK (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.5 ohm Gama de Producto E Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje d...
Vishay
SIHU7N60E-GE3
a partir de € 0,659*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTH4LN019N65S3H, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 75 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTH4LN019N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia...
onsemi
NTH4LN019N65S3H
€ 7.271,10*
por 450 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 94W; TO220-3; 1,14÷1,4mm (1 oferta) 
Fabricante: TEXAS INSTRUMENTS Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 50A Resistencia en estado de transferencia: 11mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder di...
Texas Instruments
CSD18537NKCS
a partir de € 0,70*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHP155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, TO-220AB de 3 pines (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-220AB Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3...
Vishay
SIHP155N60EF-GE3
a partir de € 1,64*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS002N10MCLT1G, VDSS 100 V, ID 175 A, DFN5 de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 175 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = DFN5 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5
onsemi
NTMFS002N10MCLT1G
a partir de € 1,941*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; 300W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 210A Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 300W Polarización: unipolar Clase ...
Infineon
IRFSL3206PBF
a partir de € 0,98*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SiJ128LDP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 25,5 A, PowerPAK SO-8L de 4 pines (3 ofertas) 
El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un QG muy bajo y QOSS reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia. Tiene un QG y QOSS muy bajos que reducen la pérdida de potencia y mejoran...
Vishay
SiJ128LDP-T1-GE3
a partir de € 0,597*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTH4LN019N65S3H, VDSS 650 V, ID 75 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
El MOSFET on Semiconductor SUPERFET III tiene una familia de MOSFET de unión de super−(SJ) de alta tensión que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una−resistencia de conexión baja excepc...
onsemi
NTH4LN019N65S3H
a partir de € 17,662*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIHP15N65E-GE3 MOSFET, CANAL N, 650V, 15A, TO-220AB (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.23 ohm Gama de Producto E Series Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N...
Vishay
SIHP15N65E-GE3
a partir de € 1,60*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SIJ186DP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 79.4A, 60V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0037 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIJ186DP-T1-GE3
a partir de € 0,491*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SIHP17N80AE-GE3, VDSS 800 V, ID 15 A, TO-220AB de 3 pines (2 ofertas) 
El Vishay serie E Power MOSFET tiene un tipo de encapsulado TO-220AB con corriente de drenaje de 15 A.Figura de mérito (FOM) Ron x Qg baja Baja capacitancia efectiva (Co(er)) Menores pérdidas por c...
Vishay
SIHP17N80AE-GE3
a partir de € 1,004*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTMFS005N10MCLT1G, VDSS 100 V, ID 105 A, DFN de 5 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 105 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = NTMFS005N Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 5 Resistencia Máxima ...
onsemi
NTMFS005N10MCLT1G
a partir de € 1,229*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SIJ438ADP-T1-GE3 MOSFET, CANAL N, 169A, 40V, POWERPAK SO (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0011 ohm Gama de Producto TrenchFET Gen IV Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines...
Vishay
SIJ438ADP-T1-GE3
a partir de € 0,549*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTH4LN067N65S3H, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-247-4 de 4 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 40 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Serie = NTH4LN067N Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 4 Resistencia...
onsemi
NTH4LN067N65S3H
a partir de € 4,847*
por unidad
 
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