MOSFET | MERCATEO (Página 1.141/1.692)

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VISHAY SI1539CDL-T1-GE3 MOSFET, COMPLEMENTARY, 30V, 0.7A/SOT-363 (1 oferta)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 700 mA Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión...

Vishay

SI1539CDL-T1-GE3

a partir de € 0,4885*
por 5 unidades

MOSFET onsemi NDT451AN, VDSS 30 V, ID 7,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor. Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad ce...

onsemi

NDT451AN

€ 1.708,00*
por 4.000 unidades

MOSFET Vishay SI4154DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 36 A, SOIC de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 36 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 40 V Serie = TrenchFET Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Dr...

Vishay

SI4154DY-T1-GE3

a partir de € 0,568*
por unidad

MOSFET Nexperia PSMNR90-50SLHAX, VDSS 50 V, ID 410 A, LFPAK88 de 4 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 410 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 50 V Tipo de Encapsulado = LFPAK88 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Número d...

Nexperia

PSMNR90-50SLHAX

a partir de € 3,075*
por unidad

MOSFET onsemi FDMS86181, VDSS 100 V, ID 124 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple (1 oferta)

This N-Channel MV MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maint...

onsemi

FDMS86181

€ 2.886,00*
por 3.000 unidades

MOSFET Vishay SI4155DY-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 8,2 A, SO-8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 8,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Vishay

SI4155DY-T1-GE3

a partir de € 0,252*
por unidad

VISHAY SI1869DH-T1-E3 MOSFET, N & P-CH, 20V, 1.2A, SC-70-6 (2 ofertas)

Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 1.2 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión ...

Vishay

SI1869DH-T1-E3

a partir de € 0,184*
por unidad

MOSFET onsemi NSVJ6904DSB6T1G, VDSS 25 V, ID 50 mA, CPH de 6 pines, , config. Simple (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 50 mA Tensión Máxima Drenador-Fuente = 25 V Tipo de Encapsulado = CPH Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 6 Disipación d...

onsemi

NSVJ6904DSB6T1G

a partir de € 0,307*
por unidad

VISHAY SI4166DY-T1-GE3 MOSFET, N CH, 30V, 30.5A, SOIC (1 oferta)

Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0032 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaj...

Vishay

SI4166DY-T1-GE3

a partir de € 0,422*
por unidad

MOSFET Nexperia PXN012-60QLJ, VDSS 60 V, ID 42 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 42 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8

Nexperia

PXN012-60QLJ

a partir de € 0,195*
por unidad

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3 (1 oferta)

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES Montaje: THT Carcasa: PG-TO262-3 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 120A Resistencia en estado de transferencia: 2mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET P...

Infineon

IPI020N06NAKSA1

a partir de € 1,90*
por unidad

MOSFET Vishay SI4190BDY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 17 A, SO-8 de 8 pines (2 ofertas)

Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Can...

Vishay

SI4190BDY-T1-GE3

a partir de € 0,782*
por unidad

MOSFET onsemi NTE4153NT1G, VDSS 20 V, ID 915 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

Small Signal MOSFET 20V 915mA 230 mOhm Single N-Channel SC-89 with ESD ProtectionLow RDS(on) Improving System Efficiency Low Threshold Voltage, 1.5V Rated ESD Protected Gate Applications: Load/Powe...

onsemi

NTE4153NT1G

€ 156,00*
por 3.000 unidades

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2,3A; 300mW; SOT23 (2 ofertas)

Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 2,3A Resistencia en estado de transferencia: 85mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder ...

Taiwan Semiconductor

TSM850N06CX RFG

a partir de € 0,22*
por unidad

MOSFET onsemi NTA7002NT1G, VDSS 30 V, ID 150 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple (1 oferta)

MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor

onsemi

NTA7002NT1G

a partir de € 150,00*
por 3.000 unidades

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