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  MOSFET  (25.380 ofertas entre 5.817.073 artículos)

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MOSFET Nexperia PXP011-20QXJ, VDSS 20 V, ID 17,2 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 17,2 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Nexperia
PXP011-20QXJ
a partir de € 0,256*
por unidad
 
 unidades
VISHAY SI2325DS-T1-GE3 MOSFET, CANAL P, -150V, -0.53A, SOT-23-3 (2 ofertas) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 1 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje de ...
Vishay
SI2325DS-T1-GE3
a partir de € 0,403*
por unidad
 
 unidad
MOSFET onsemi NTBG015N065SC1, VDSS 650 V, ID 145 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta) 
The ON Semiconductor SiC Power series MOSFET uses a completely new technology that provide superior switching performance and higher reliability compared to silicon. In addition, the low ON resista...
onsemi
NTBG015N065SC1
€ 13.321,60*
por 800 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14,5A; 2W; SO8 (1 oferta) 
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SO8 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 14,5A Resistencia en estado de transferencia: 4,8mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET...
Alpha & Omega Semiconductor
AO4268
a partir de € 0,31*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI4894BDY-T1-GE3 N CHANNEL MOSFET, 30V, 12A, Transistor P (1 oferta) 
Gama de Producto - Calificación - Disipación de Potencia 1.4 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Número de Pines 8 Pines Corriente de Drenaje Continua Id 12 A Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V...
Vishay
SI4894BDY-T1-GE3
a partir de € 1.959,825*
por 2.500 unidades
 
 envase
VISHAY SI2328DS-T1-GE3 MOSFET, N-CH, 100V, 1.5A, SOT23 (1 oferta) 
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.195 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 3 Pines Montaje...
Vishay
SI2328DS-T1-GE3
a partir de € 0,343*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NTBGS004N10G, VDSS 100 V, ID 203 A, D2PAK (TO-263) de 7 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 203 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Serie = SiC Power Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 7 Resistencia Máxima ...
onsemi
NTBGS004N10G
a partir de € 4,60*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 134mA; 71mW; SOT23 (2 ofertas) 
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR Montaje: SMD Carcasa: SOT23 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 134mA Resistencia en estado de transferencia: 2,5Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder...
Taiwan Semiconductor
TSM2N7002AKCX RFG
a partir de € 0,0678*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI4943CDY-T1-GE3 MOSFET, DUAL P CH, -20V, -8A, SOIC (1 oferta) 
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 8 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Tensión Dr...
Vishay
SI4943CDY-T1-GE3
a partir de € 0,718*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Nexperia PXP018-20QXJ, VDSS 20 V, ID 13,7 A, MLPAK33 de 8 pines (1 oferta) 
Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13,7 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = MLPAK33 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8
Nexperia
PXP018-20QXJ
a partir de € 0,197*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; Idm: 100A; 25W; TO220F (1 oferta) 
Fabricante: NTE Electronics Montaje: THT Carcasa: TO220F Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 25A Resistencia en estado de transferencia: 26mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disip...
NTE Electronics
NTE2914
a partir de € 2,95*
por unidad
 
 unidad
VISHAY SI2333CDS-T1-E3 MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3 (2 ofertas) 
Disipación de Potencia 2.5 W Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 400 mV Calificación - Montaje de Transistor Surface Mount Gama de Producto - Tensión Drenador-Fuente (Vds) 12 V Tensión de Prueba Rds(...
Vishay
SI2333CDS-T1-E3
a partir de € 0,29*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-E3, VDSS 60 V, ID 2,4 A, 8-SOIC (2 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 2,4 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V Tipo de Encapsulado = 8-SOIC Tipo de Montaje = Montaje superficial
Vishay
SI4948BEY-T1-E3
a partir de € 0,467*
por unidad
 
 unidades
MOSFET onsemi NTBGS2D5N06C, VDSS 60 V, ID 169 A, TO-263-7 de 7 pines (1 oferta) 
El MOSFET de alimentación on Semiconductor 60V utiliza 169 A de corriente de drenaje con un canal N único de−. Tiene menos ruido de conmutación/EMI y minimiza las pérdidas de conducción.Baja RDS(on...
onsemi
NTBGS2D5N06C
a partir de € 4,569*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; Idm: 961A; 326W (1 oferta) 
Fabricante: NEXPERIA Montaje: THT Carcasa: TO220AB;SOT78 Tensión drenaje-fuente: 60V Corriente del drenaje: 150A Resistencia en estado de transferencia: 5,6mΩ Tipo de transistor: N-MOSFET Poder dis...
Nexperia
PSMN2R6-60PSQ
a partir de € 1,86*
por unidad
 
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