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  MOSFET  (25.378 ofertas entre 5.822.014 artículos)

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Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 300A; 1250W; 170ns (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: PLUS247™ Tiempo de disponibilidad: 170ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 300A Resistencia en estado de transferencia: 4mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFX300N20X3
a partir de € 22,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STP80N340K6, VDSS 800 V, ID 12 A, TO-220 de 3 pines (3 ofertas) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 12 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 800 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 M...
ST Microelectronics
STP80N340K6
a partir de € 2,03*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO262 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO262 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 147W ...
WAYON
WMN26N65FD
a partir de € 1,17*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM110NB04DCR, VDSS 40 V, ID 48 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM110NB04DCR
€ 2.905,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 72A; 320W; TO3P (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO3P Tiempo de disponibilidad: 84ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 72A Resistencia en estado de transferencia: 20mΩ Tipo de transistor: N...
IXYS
IXFQ72N20X3
a partir de € 4,93*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM070NB04LCR, VDSS 40 V, ID 75 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM070NB04LCR
a partir de € 0,86*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO220-3 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220-3 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 147...
WAYON
WMK26N65FD
a partir de € 1,56*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STWA65N023M9, VDSS 92 A, ID 92 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 92 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 92 A Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Mo...
ST Microelectronics
STWA65N023M9
a partir de € 14,187*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 36A; 176W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tiempo de disponibilidad: 75ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 36A Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ Tipo de transistor: ...
IXYS
IXFA36N20X3
a partir de € 2,34*
por unidad
 
 unidad
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 38A; 34W; TO220FP (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: THT Carcasa: TO220FP Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 38A Resistencia en estado de transferencia: 0,115Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 3...
WAYON
WML38N65FD
a partir de € 2,07*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM130NB06CR, VDSS 60 V, ID 51 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos...
Taiwan Semiconductor
TSM130NB06CR
€ 2.260,00*
por 2.500 unidades
 
 envase
Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 90A; 390W; TO247-3 (1 oferta) 
Fabricante: IXYS Montaje: THT Carcasa: TO247-3 Tiempo de disponibilidad: 85ns Tensión drenaje-fuente: 200V Corriente del drenaje: 90A Resistencia en estado de transferencia: 12,8mΩ Tipo de transist...
IXYS
IXFH90N20X3
a partir de € 5,45*
por unidad
 
 unidad
MOSFET Taiwan Semiconductor TSM080N03PQ56, VDSS 30 V, ID 73 A, PDFN56 de 8 pines (1 oferta) 
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 73 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V Serie = TSM025 Conteo de Pines = 8 Resistencia Máxima Drenador-Fuente = 8 m.Ω Modo de Canal = Mejora Tensión de umb...
Taiwan Semiconductor
TSM080N03PQ56
a partir de € 0,547*
por unidad
 
 unidades
Transistor: N-MOSFET; WMOS™ FD; unipolar; 650V; 20A; 147W; TO263 (1 oferta) 
Fabricante: WAYON Montaje: SMD Carcasa: TO263 Tensión drenaje-fuente: 650V Corriente del drenaje: 20A Resistencia en estado de transferencia: 0,2Ω Tipo de transistor: N-MOSFET Poder disipado: 147W ...
WAYON
WMM26N65FD
a partir de € 1,18*
por unidad
 
 unidad
MOSFET STMicroelectronics STWA68N65DM6AG, VDSS 650 V, ID 72 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos (1 oferta) 
Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 72 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-247 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 R...
ST Microelectronics
STWA68N65DM6AG
a partir de € 11,742*
por unidad
 
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